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1. (WO2018100958) マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/100958 国際出願番号: PCT/JP2017/039518
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 01.11.2017
IPC:
G03F 1/54 (2012.01) ,G03F 1/32 (2012.01) ,G03F 1/72 (2012.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
54
吸収材,例.不透明な材料
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
26
位相シフトマスク;PSMブランク;その準備
32
減衰PSM,例.ハーフトーンPSM又は半透明な位相シフト部を有するPSM;その準備
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
1
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造に用いる原稿,例.マスク,フォトマスク又はレチクル;そのためのマスクブランク又はペリクル;特にそれに適合した容器;その準備
68
グループG03F1/20からG03F1/50に包含されない準備プロセス
72
マスク欠陥の修理又は修正
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
出願人:
HOYA株式会社 HOYA CORPORATION [JP/JP]; 東京都新宿区西新宿六丁目10番1号 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347, JP
ホーヤ エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド HOYA ELECTRONICS SINGAPORE PTE. LTD. [SG/SG]; クレセント インダストリアル タンピネス10 10 Tampines Industrial Crescent 528603, SG
発明者:
橋本 雅広 HASHIMOTO, Masahiro; JP
内田 真理子 UCHIDA, Mariko; SG
河角 功 KAWASUMI, Isao; SG
代理人:
永田 豊 NAGATA, Yutaka; JP
大島 孝文 OSHIMA, Takafumi; JP
太田 司 OTA, Tsukasa; JP
優先権情報:
2016-23258830.11.2016JP
発明の名称: (EN) MASK BLANK, MASK FOR TRANSFER, METHOD FOR MANUFACTURING MASK FOR TRANSFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE TRANSFERT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE TRANSFERT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided is a mask blank of which the correction rate of EB defect correction is sufficiently fast even when a thin film for forming a transfer pattern is formed with an SiN material, and the ratio of correction rate for EB defect correction between a translucent substrate and itself is sufficiently high. A mask blank provided with a thin film for forming, on a translucent substrate, a transfer pattern formed with a material containing silicon and nitrogen, characterized in that when X-ray photoelectron spectrometry is performed on a plurality of measurement spots in an internal area of the thin film except a near-field area and a surface area to acquire an average value PSi_fi_av of the maximum peak PSi_fi of photoelectron intensity of an Si2p narrow spectrum, and X-ray photoelectron spectrometry is performed on a plurality of measurement spots of the translucent substrate to acquire an average value PSi_sb_av of the maximum peak PSi_sb of photoelectron intensity of an Si2p narrow spectrum, (PSi_fi_av)/(PSi_sb_av) is 1.08 or greater.
(FR) Cette invention concerne une ébauche de masque dont la vitesse de correction des défauts de faisceau d'électrons est suffisamment rapide même lorsqu'un film mince pour la formation d'un motif de transfert est formé avec un matériau à base de SiN, et le rapport de la vitesse de correction pour la correction des défauts de faisceau d'électrons entre un substrat translucide et ledit masque est suffisamment élevé. Plus précisément, l'invention concerne une ébauche de masque pourvue d'un film mince pour former, sur un substrat translucide, un motif de transfert formé avec un matériau contenant du silicium et de l'azote, caractérisé en ce que lorsqu'une spectrométrie photoélectronique à rayons X est réalisée sur une pluralité de points de mesure dans une zone interne du film mince à l'exception d'une zone de champ proche et d'une zone de surface pour acquérir une valeur moyenne PSi_fi_av du pic maximal PSi_fi d'intensité de photoélectrons d'un spectre étroit Si2p, et une spectrométrie photoélectronique à rayons X est effectuée sur une pluralité de points de mesure du substrat translucide pour acquérir une valeur moyenne PSi_sb_av du pic maximal PSi_sb d'intensité de photoélectrons d'un spectre étroit Si2p, le rapport (PSi_fi_av)/(PSi_sb_av) est supérieur ou égal à 1,08.
(JA) 転写パターンを形成するための薄膜をSiN系材料で形成した場合でも、EB欠陥修正の修正レートが十分に速く、EB欠陥修正に対する透光性基板との間での修正レート比が十分に高いマスクブランクを提供する。 透光性基板上に、ケイ素および窒素を含有する材料で形成された転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクであって、薄膜の近傍領域と表層領域を除いた領域である内部領域の複数の測定箇所に対してX線光電子分光分析を行ってSi2pナロースペクトルの光電子強度の最大ピークPSi_fiの平均値PSi_fi_avを取得し、透光性基板の複数の測定箇所に対してX線光電子分光分析を行ってSi2pナロースペクトルの光電子強度の最大ピークPSi_sbの平均値PSi_sb_avを取得したとき、(PSi_fi_av)/(PSi_sb_av)が1.08以上であることを特徴とするマスクブランクである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)