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1. (WO2018100954) 抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置

Pub. No.:    WO/2018/100954    International Application No.:    PCT/JP2017/039354
Publication Date: Fri Jun 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 01 00:59:59 CET 2017
IPC: G11C 11/16
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
Inventors: HANYU Takahiro
羽生 貴弘
SUZUKI Daisuke
鈴木 大輔
OHNO Hideo
大野 英男
ENDOH Tetsuo
遠藤 哲郎
Title: 抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置
Abstract:
簡単な回路で、小さい書き込みエネルギーで書込みを行うことができる抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置を提供する。抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置は、相補型抵抗変化型記憶素子と、相補型抵抗変化型記憶素子に抵抗変化を生じさせる書き込み手段と、相補型抵抗変化型記憶素子の書き込み状態を検出する検出手段と、検出手段の検出信号に基づいて、書き込み手段の書き込みを制御する制御手段を有する。