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1. (WO2018100850) 基板処理装置、天井ヒータおよび半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/100850 国際出願番号: PCT/JP2017/034052
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 21.09.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.[JP/JP]; 15-12,Nishi-shimbashi 2-chome,Minato-ku, Tokyo 1018980, JP
発明者: KOSUGI, Tetsuya; JP
MURATA, Hitoshi; JP
SAIDO, Syuhei; JP
優先権情報:
2016-23416601.12.2016JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, CEILING HEATER AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE CHAUFFAGE DE PLAFOND ET DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 基板処理装置、天井ヒータおよび半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN) The present invention is provided with: a reaction tube that accommodates a plurality of substrates therein so as to be aligned in the longitudinal direction; a first heater that heats the inside of the reaction tube from the side of the reaction tube; and a second heater that heats the inside of the reaction tube from above the reaction tube. The second heater is configured so that the amount of heat generated by the second heater, in a region corresponding to a low-temperature section of the substrate accommodated in the upper section within the reaction tube when the same is heated by the first heater, becomes greater than the amount of heat generated in a region corresponding to a high-temperature section of the substrate.
(FR) La présente invention comprend : un tube de réaction qui reçoit une pluralité de substrats à l'intérieur de celui-ci de façon à être aligné dans la direction longitudinale; un premier dispositif de chauffage qui chauffe l'intérieur du tube de réaction à partir du côté du tube de réaction; et un second dispositif de chauffage qui chauffe l'intérieur du tube de réaction depuis le dessus du tube de réaction. Le second dispositif de chauffage est configuré de telle sorte que la quantité de chaleur générée par le second dispositif de chauffage, dans une région correspondant à une section à basse température du substrat reçu dans la section supérieure à l'intérieur du tube de réaction lorsque celui-ci est chauffé par le premier dispositif de chauffage, devient supérieure à la quantité de chaleur générée dans une région correspondant à une section à haute température du substrat.
(JA) 複数枚の基板を縦方向に並べて内部に収容する反応管と、反応管の側方から反応管内を加熱する第1ヒータと、反応管の上方から反応管内を加熱する第2ヒータと、を備え、第2ヒータは、第1ヒータで加熱した際の反応管内の上方に収容された基板の低温部に対応する領域における第2ヒータの発熱量を基板の高温部に対応する領域における発熱量よりも大きくするよう構成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)