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1. (WO2018100850) 基板処理装置、天井ヒータおよび半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/100850    International Application No.:    PCT/JP2017/034052
Publication Date: Fri Jun 08 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 22 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/31
C23C 16/46
H01L 21/318
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: KOSUGI, Tetsuya
小杉 哲也
MURATA, Hitoshi
村田 等
SAIDO, Syuhei
西堂 周平
Title: 基板処理装置、天井ヒータおよび半導体装置の製造方法
Abstract:
複数枚の基板を縦方向に並べて内部に収容する反応管と、反応管の側方から反応管内を加熱する第1ヒータと、反応管の上方から反応管内を加熱する第2ヒータと、を備え、第2ヒータは、第1ヒータで加熱した際の反応管内の上方に収容された基板の低温部に対応する領域における第2ヒータの発熱量を基板の高温部に対応する領域における発熱量よりも大きくするよう構成される。