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1. (WO2018100826) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
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国際公開番号: WO/2018/100826 国際出願番号: PCT/JP2017/032242
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 07.09.2017
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
52
被覆工程の制御または調整(制御または調整一般G05)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
出願人:
株式会社KOKUSAI ELECTRIC KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区神田鍛冶町三丁目4番地 3-4, Kandakaji-cho, Chiyoda-ku, TOKYO 1010045, JP
発明者:
杉下 雅士 SUGISHITA, Masashi; JP
上野 正昭 UENO, Masaaki; JP
優先権情報:
2016-23281330.11.2016JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
要約:
(EN) According to one aspect of the present invention, provided are the following: a heater unit that heats a substrate placed on a boat; a temperature control unit that controls the heater unit so as to maintain a predetermined temperature; a valve control unit that adjusts an opening degree of a control valve for adjusting the flow rate of a gas supplied to a reaction tube; and a control unit that instructs execution of a process containing a temperature raising step for raising the temperature to a predetermined temperature at a predetermined temperature raising rate, a processing step for processing the substrate at the predetermined temperature, and a temperature lowering step for lowering the temperature from the predetermined temperature at a predetermined temperature lowering rate. Also provided is a configuration in which the heating by the heater unit and the cooling by the gas supplied from the control valve are performed in parallel so as to track the predetermined temperature raising rate and predetermined temperature lowering rate.
(FR) Selon un aspect de la présente invention, les éléments suivants sont fournis : une unité de chauffage qui chauffe un substrat placé sur un bateau; une unité de commande de température qui commande l'unité de chauffage de façon à maintenir une température prédéterminée; une unité de commande de soupape qui règle un degré d'ouverture d'une soupape de commande pour régler le débit d'un gaz fourni à un tube de réaction; et une unité de commande qui ordonne l'exécution d'un processus contenant une étape d'élévation de température pour élever la température à une température prédéterminée selon une vitesse d'élévation de température prédéterminée, une étape de traitement pour traiter le substrat à la température prédéterminée, et une étape d'abaissement de température pour abaisser la température à partir de la température prédéterminée selon une vitesse d'abaissement de température prédéterminée. L'invention concerne également une configuration dans laquelle le chauffage par l'unité de chauffage et le refroidissement par le gaz fourni par la vanne de commande sont effectués en parallèle de façon à suivre la vitesse d'élévation de température prédéterminée et la vitesse d'abaissement de température prédéterminée.
(JA) 本発明の一態様によれば、ボートに載置された状態の基板を加熱するヒータユニットと、所定の温度に維持するようヒータユニットを制御する温度制御部と、反応管に向けて供給するガスの流量を調整する制御バルブの開度を調整するバルブ制御部と、所定の昇温レートで所定の温度まで昇温させる昇温ステップ、所定の温度で基板を処理する処理ステップ、所定の温度から所定の降温レートで降温させる降温ステップを含むレシピを実行指示する制御部と、を備え、ヒータユニットによる加熱及び制御バルブから供給されるガスによる冷却を並行させて所定の昇温レート及び所定の降温レートに追従させる構成が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)