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1. (WO2018100465) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/100465    国際出願番号:    PCT/IB2017/057268
国際公開日: 07.06.2018 国際出願日: 21.11.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01)
出願人: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
発明者: YAMAZAKI, Shunpei; (JP)
優先権情報:
2016-234804 02.12.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)The present invention imparts excellent electrical characteristics to a semiconductor device or provides a semiconductor device having high reliability. In this semiconductor device having a bottom gate-type transistor, in which a metal oxide is used in a semiconductor layer, the metal oxide has a source region, drain region, first region, second region, and third region. The first region, second region, and third region are sandwiched between the source region and the drain region in the channel length direction. The second region is sandwiched between the first region and the third region in the channel width direction, each of the first region and the third region includes an end portion of the metal oxide, and in the length in the channel length direction, the length of the second region is shorter than the length of the first region or the length of the third region.
(FR)La présente invention confère d'excellentes caractéristiques électriques à un dispositif à semiconducteur ou fournit un dispositif à semiconducteur ayant une fiabilité élevée. Dans ce dispositif à semiconducteur ayant un transistor de type grille inférieure, dans lequel un oxyde métallique est utilisé dans une couche semiconductrice, l'oxyde métallique a une région de source, une région de drain, une première région, une seconde région et une troisième région. La première région, la seconde région et la troisième région sont prises en sandwich entre la région de source et la région de drain dans la direction de la longueur du canal. La seconde région est prise en sandwich entre la première région et la troisième région dans la direction de la largeur du canal, chacune de la première région et de la troisième région comprend une partie d'extrémité de l'oxyde métallique, et dans la longueur dans la direction de la longueur du canal, la longueur de la seconde région est plus courte que la longueur de la première région ou de la longueur de la troisième région.
(JA)要約書 半導体装置に良好な電気特性を付与する。または信頼性の高い半導体装置を提供する。 半導体層に金属酸化物を用いたボトムゲート型トランジスタを有する半導体装置において、金属酸化 物は、ソース領域と、ドレイン領域と、第1の領域と、第2の領域と、第3の領域と、を有する。第 1の領域と、 第2の領域と、 第3の領域と、 はいずれもソース領域と、 ドレイン領域とにチャネル長 方向に沿って挟まれる。第2の領域は、チャネル幅方向に沿って、第1の領域と、第3の領域と、に 挟まれ、 第1の領域及び第3の領域は、 それぞれ金属酸化物の端部を含み、 チャネル長方向に沿った 長さにおいて、第2の領域の長さは、第1の領域の長さ、または第3の領域の長さ、より小である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)