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1. (WO2018088536) 金属膜形成装置及び金属膜形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/088536 国際出願番号: PCT/JP2017/040626
国際公開日: 17.05.2018 国際出願日: 10.11.2017
IPC:
C23C 14/22 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
OSAKA UNIVERSITY[JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
発明者: OHMI Hiromasa; JP
YASUTAKE Kiyoshi; JP
KUBOTA Yusuke; JP
代理人: HASEGAWA Yoshiki; JP
KUROKI Yoshiki; JP
KASHIOKA Junji; JP
優先権情報:
2016-22004710.11.2016JP
発明の名称: (EN) METAL FILM-FORMING DEVICE AND METAL FILM-FORMING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MÉTALLIQUE
(JA) 金属膜形成装置及び金属膜形成方法
要約: front page image
(EN) A metal film-forming device which uses the atmospheric-pressure plasma enhanced chemical transport (APECT) method, wherein a control device 7 thereof controls a high-frequency power source 6 and generates hydrogen plasma around a starting material metal 5 when hydrogen is introduced into a treatment vessel 1 through a hydrogen introduction port 4. Thus, it is possible to form a metal film which could not have been formed using the prior art, by configuring in a manner such that a prescribed relationship exists between: the density A of the high-frequency power which the high-frequency power source 6 applies per unit area of the plasma generation region of the starting material metal 5; the distance B between the starting material metal 5 and a substrate S; and the pressure C around the starting material metal 5 inside the treatment vessel 1.
(FR) L'invention concerne un dispositif de formation de film métallique qui utilise le procédé de transport chimique augmenté par plasma à pression atmosphérique (APECT). Ce dispositif comporte un dispositif de commande (7) qui commande une source d'énergie haute fréquence (6) et génère un plasma d'hydrogène autour d'un métal de départ (5) lorsque de l'hydrogène est introduit dans un récipient de traitement (1) par l'intermédiaire d'un orifice d'introduction d'hydrogène (4). Il est ainsi possible de former un film métallique, ce qui n'était pas possible avec les techniques antérieures, en configurant le dispositif d'une manière telle qu'une relation prescrite existe entre : la densité (A) de la puissance haute fréquence que la source de puissance haute fréquence (6) applique par unité de surface de la région de génération de plasma du métal de matériau de départ (5) ; la distance (B) entre le métal de départ (5) et un substrat (S) ; et la pression (C) autour du métal de départ (5) à l'intérieur du récipient de traitement (1).
(JA) 大気圧プラズマ化学輸送(APECT)法を用いた金属膜形成装置において、その制御装置7は、水素導入口4から処理容器1内に水素が導入された場合に、高周波電源6を制御し、原料金属5の周囲に水素プラズマを発生させる。この高周波電源6によって原料金属5のプラズマ発生領域における単位面積当たりに与えられる高周波電力の密度A、原料金属5と基板Sとの間の距離B、処理容器1内の原料金属5の周囲の圧力Cは、所定の関係を有しており、従来では、形成できなかった金属膜を形成できるようになる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)