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1. (WO2018088532) エッチング装置及びエッチング方法

Pub. No.:    WO/2018/088532    International Application No.:    PCT/JP2017/040614
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Nov 11 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/3065
H05H 1/46
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED
東京エレクトロン株式会社
OSAKA UNIVERSITY
国立大学法人大阪大学
Inventors: OHMI Hiromasa
大参 宏昌
KUBOTA Yusuke
久保田 雄介
Title: エッチング装置及びエッチング方法
Abstract:
反応性ラジカルを有するプラズマを照射するエッチング方法において、プラズマ形成に用いられる処理ガスは、H2ガスを含むエッチングガスと、N2、NH3、H2O及びCO2からなる群から選択される少なくとも1種のガスを含む表面改質ガスとを含んでおり、エッチングレートを向上すると共にエッチングの際の表面粗さの増加を抑制することができる。