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1. (WO2018088480) 光検出装置
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国際公開番号: WO/2018/088480 国際出願番号: PCT/JP2017/040444
国際公開日: 17.05.2018 国際出願日: 09.11.2017
IPC:
H01L 31/107 (2006.01)
[IPC code unknown for H01L 31/107]
出願人:
浜松ホトニクス株式会社 HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 静岡県浜松市東区市野町1126番地の1 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558, JP
発明者:
石田 篤司 ISHIDA Atsushi; JP
馬場 隆 BABA Takashi; JP
永野 輝昌 NAGANO Terumasa; JP
細川 暢郎 HOSOKAWA Noburo; JP
代理人:
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
柴山 健一 SHIBAYAMA Kenichi; JP
優先権情報:
2016-22077711.11.2016JP
発明の名称: (EN) OPTICAL SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTIQUE
(JA) 光検出装置
要約:
(EN) This optical sensor is provided with: a semiconductor substrate that has a first main surface and a second main surface, which are on the reverse side of each other; and a plurality of through electrodes that penetrate the semiconductor substrate in the thickness direction. The semiconductor substrate comprises a plurality of avalanche photodiodes which operate in Geiger mode. The plurality of through electrodes are electrically connected to corresponding avalanche photodiodes. The semiconductor substrate has: a first region in which the plurality of avalanche photodiodes are arranged at least in a first direction; and a second region in which the plurality of through electrodes are two-dimensionally arranged. The first region and the second region are arranged side by side in a second direction that is perpendicular to the first direction when viewed from a direction that is perpendicular to the first main surface.
(FR) La présente invention concerne un capteur optique pourvu : d'un substrat semi-conducteur comportant une première surface principale et une seconde surface principale, qui sont disposées inversées l'une par rapport à l'autre ; et de plusieurs électrodes traversantes qui pénètrent le substrat semi-conducteur dans la direction de l'épaisseur. Le substrat semi-conducteur comprend plusieurs photodiodes à avalanche qui fonctionnent en mode Geiger. Les plusieurs électrodes traversantes sont électriquement connectées à des photodiodes à avalanche correspondantes. Le substrat semi-conducteur comporte : une première région dans laquelle les plusieurs photodiodes à avalanche sont disposées au moins dans une première direction ; et une seconde région dans laquelle les plusieurs électrodes traversantes sont disposées de façon bidimensionnelle. La première région et la seconde région sont disposées côte à côte dans une seconde direction perpendiculaire à la première direction lorsqu'on les observe dans une direction perpendiculaire à la première surface principale.
(JA) 光検出装置は、互いに対向する第一主面及び第二主面を有している半導体基板と、半導体基板を厚み方向に貫通している複数の貫通電極と、を備えている。半導体基板は、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードを有している。複数の貫通電極は、対応するアバランシェフォトダイオードと電気的に接続されている。半導体基板は、複数のアバランシェフォトダイオードが少なくとも第一方向に配列されている第一領域と、複数の貫通電極が二次元配列されている第二領域と、を有している。第一領域と第二領域とは、第一主面に直交する方向から見て、第一方向と直交する第二方向に並んでいる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)