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1. (WO2018088441) 窒化物半導体基板とその製造方法
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国際公開番号: WO/2018/088441 国際出願番号: PCT/JP2017/040313
国際公開日: 17.05.2018 国際出願日: 08.11.2017
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
16
特定の結晶構造や結晶方位を有するもの,例.多結晶,アモルファス,ポーラス
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
旭化成株式会社 ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都千代田区有楽町一丁目1番2号 1-1-2 Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006, JP
学校法人名城大学 MEIJO UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区塩釜口1-501 1-501, Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4688502, JP
発明者:
吉川 陽 YOSHIKAWA Akira; JP
森下 朋浩 MORISHITA Tomohiro; JP
岩谷 素顕 IWAYA Motoaki; JP
代理人:
森 哲也 MORI Tetsuya; JP
田中 秀▲てつ▼ TANAKA Hidetetsu; JP
優先権情報:
2016-21829908.11.2016JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT SEMICONDUCTEUR DE NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物半導体基板とその製造方法
要約:
(EN) A nitride semiconductor substrate (1) is provided with: a sapphire substrate (2); and a nitride semiconductor layer (3) that is formed on the sapphire substrate (2) and that has, as principal constituents, nitrogen and an element of group III, which includes aluminum. A surface (21) on the side of the sapphire substrate where the nitride semiconductor layer is formed includes recessed sections (211) with maximum opening dimensions of 2 to 60 nm at a proportion of 1 × 109 to 1 × 1011 recessed sections per 1 cm2. A space (4) is provided that is formed by each recessed section (211) and each surface (311) immediately above the recessed section. In a surface (31) on the sapphire substrate side of the nitride semiconductor layer, the height difference ΔH between the surface (311) immediately above the recessed section (211) and a surface (312) in contact with a flat surface (212) is 10 nm or less. Portions (32) of the nitride semiconductor layer above the recessed sections (211) have a crystalline structure produced by growth of the group III element along a polar face.
(FR) L'invention concerne un substrat semiconducteur de nitrure (1) comprenant : un substrat de saphir (2); et une couche semiconductrice de nitrure (3) qui est formée sur le substrat de saphir (2) et qui a, en tant que constituants principaux, de l'azote et un élément du groupe III, qui comprend de l'aluminium. Une surface (21) sur le côté du substrat de saphir où la couche semiconductrice de nitrure est formée comprend des sections évidées (211) avec des dimensions d'ouverture maximale de 2 à 60 nm à une proportion de 1 × 109 à 1 × 1011 sections évidées par 1 cm2. Un espace (4) est prévu qui est formé par chaque section évidée (211) et chaque surface (311) immédiatement au-dessus de la section évidée. Dans une surface (31) sur le côté substrat de saphir de la couche semiconductrice de nitrure, la différence de hauteur ΔH entre la surface (311) immédiatement au-dessus de la section évidée (211) et une surface (312) en contact avec une surface plate (212) est inférieure ou égale à 10 nm. Des parties (32) de la couche semiconductrice de nitrure au-dessus des sections évidées (211) ont une structure cristalline produite par la croissance de l'élément du groupe III le long d'une face polaire.
(JA) 窒化物半導体基板(1)は、サファイア基板(2)と、その上に形成され、Alを含むIII 族元素および窒素を主成分とする窒化物半導体層(3)とを備える。サファイア基板の窒化物半導体層が形成されている側の面(21)は、最大開口寸法が2nm以上60nm以下である凹部(211)を1cm2当たり1×109個以上1×1011個以下の割合で有する。凹部(211)と凹部の直上の面(311)とで形成される空間(4)を有する。窒化物半導体層のサファイア基板側の面(31)のうち、凹部(211)の直上の面(311)と平坦面(212)に接触する面(312)との高さの差ΔHが10nm以下である。窒化物半導体層の凹部(211)の上側の部分(32)はIII族元素の極性面に沿った成長で生じた結晶構造を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)