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1. (WO2018088292) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/088292    International Application No.:    PCT/JP2017/039495
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Nov 02 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 25/07
B22F 1/00
B22F 7/08
B82Y 30/00
B82Y 40/00
H01L 21/52
H01L 23/36
H01L 25/18
Applicants: HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.
株式会社日立パワーデバイス
Inventors: YASUDA Yusuke
保田 雄亮
Title: 半導体装置および半導体装置の製造方法
Abstract:
複数の半導体素子が焼結金属により基板上に接合される半導体装置において、焼結金属による接合部の接合信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。複数の半導体素子が焼結金属によりベース基板上に接合される半導体装置であって、前記ベース基板は、第1のベース基板と、前記第1のベース基板に隣接する第2のベース基板からなり、前記第1のベース基板上に第1の焼結金属層を介して接合された第1の半導体素子と、前記第2のベース基板上に第2の焼結金属層を介して接合された第2の半導体素子と、を備え、前記第1のベース基板と前記第2のベース基板は、各々の側面同士を接合することで一体化されていることを特徴とする。