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1. (WO2018088285) 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
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国際公開番号: WO/2018/088285 国際出願番号: PCT/JP2017/039472
国際公開日: 17.05.2018 国際出願日: 01.11.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
14
赤外線,可視光,短波長の電磁波または粒子線輻射に感応する半導体構成部品で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御するかのどちらかに特に適用されるもの
144
輻射線によって制御される装置
146
固体撮像装置構造
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
H 電気
04
電気通信技術
N
画像通信,例.テレビジョン
5
テレビジョン方式の細部
30
光または類似信号から電気信号への変換
335
固体撮像素子を用いるもの
369
固体撮像素子の構造,固体撮像素子と関連する回路に特徴のあるもの
374
アドレス型センサ,例.MOS型ないしはCMOS型センサ
出願人:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者:
山川 真弥 YAMAKAWA Shinya; JP
代理人:
西川 孝 NISHIKAWA Takashi; JP
稲本 義雄 INAMOTO Yoshio; JP
優先権情報:
2016-22118814.11.2016JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING APPARATUS, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) APPAREIL D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器
要約:
(EN) The present technology pertains to a solid-state imaging apparatus that can improve sensitivity in a near-infrared range through a simple process, a method for manufacturing the solid-state imaging apparatus, and an electronic device. This solid-state imaging apparatus is provided with: a first semiconductor layer on which a first photoelectric conversion unit and a first floating diffusion are formed; a second semiconductor layer on which a second photoelectric conversion unit and a second floating diffusion are formed; and a wiring layer that includes wiring electrically connected to the first and second floating diffusions. The first semiconductor layer and the second semiconductor layer are laminated, and the wiring layer is formed on a side opposite to the side of the first or second semiconductor layer where the first and second semiconductor layers oppose each other. The present technology can be applied to a CMOS image sensor.
(FR) La présente technologie concerne un appareil d'imagerie à semi-conducteurs qui peut améliorer la sensibilité dans une plage de proche infrarouge par l'intermédiaire d'un processus simple, un procédé de fabrication de l'appareil d'imagerie à semi-conducteurs, et un dispositif électronique. Cet appareil d'imagerie à semi-conducteurs comprend : une première couche semi-conductrice sur laquelle sont formées une première unité de conversion photoélectrique et une première diffusion flottante; une seconde couche semi-conductrice sur laquelle sont formées une seconde unité de conversion photoélectrique et une seconde diffusion flottante; et une couche de câblage qui comprend un câblage connecté électriquement aux première et seconde diffusions flottantes. La première couche semi-conductrice et la seconde couche semi-conductrice sont stratifiées, et la couche de câblage est formée sur un côté opposé au côté de la première ou de la seconde couche semi-conductrice, les première et seconde couches semi-conductrices étant opposées l'une à l'autre. La présente technologie peut être appliquée à un capteur d'images CMOS.
(JA) 本技術は、より簡単なプロセスで、近赤外領域の感度を向上させることができるようにする固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。 固体撮像装置は、第1の光電変換部および第1のフローティングディフュージョンが形成された第1の半導体層と、第2の光電変換部および第2のフローティングディフュージョンが形成された第2の半導体層と、第1および第2のフローティングディフュージョンと電気的に接続される配線を含む配線層とを備える。第1の半導体層と第2の半導体層とは積層され、配線層は、第1または第2の半導体層の、それぞれが互いに対向する側とは反対側に形成される。本技術は、CMOSイメージセンサに適用することができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)