WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2018088281) 固体撮像装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/088281    国際出願番号:    PCT/JP2017/039440
国際公開日: 17.05.2018 国際出願日: 31.10.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: TOWERJAZZ PANASONIC SEMICONDUCTOR CO., LTD. [JP/JP]; 800 Higashiyama, Uozu City, Toyama 9378585 (JP)
発明者: YOKOYAMA Toshifumi; (JP).
NISHI Yoshiaki; (JP)
代理人: MAEDA & PARTNERS; Shin-Daibiru Bldg. 23F, 2-1, Dojimahama 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300004 (JP)
優先権情報:
2016-221415 14.11.2016 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMICONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 固体撮像装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A solid-state imaging device comprising: a plurality of light reception units (3A, 3B) which are provided to the upper portion of a substrate (1) and formed in each of a plurality of pixels; at least one wiring layer (6) which is provided above the substrate (1) and in which a plurality of metal wires (20) are formed; an insulating film (12) of which at least a portion is inside the wiring layer (6) and which is provided between the plurality of metal wires (20); and a transparent insulating film (10) which penetrates a portion of the insulating film (12) provided inside the wiring layer (6) in an area directly above the light reception units (3A, 3B), said transparent insulating film (10) having a higher refractive index than the insulating film (12).
(FR)L'invention concerne un dispositif d'imagerie à semiconducteur comprenant : une pluralité d'unités de réception de lumière (3A, 3B) qui sont disposées sur la partie supérieure d'un substrat (1) et formées dans chacun d'une pluralité de pixels; au moins une couche de câblage (6) qui est disposée au-dessus du substrat (1) et dans laquelle une pluralité de fils métalliques (20) sont formés; un film isolant (12) dont au moins une partie est à l'intérieur de la couche de câblage (6) et qui est disposé entre la pluralité de fils métalliques (20); et un film isolant transparent (10) qui pénètre dans une partie du film isolant (12) disposée à l'intérieur de la couche de câblage (6) dans une zone directement au-dessus des unités de réception de lumière (3A, 3B), ledit film isolant transparent (10) ayant un indice de réfraction supérieur à celui du film isolant (12).
(JA)固体撮像装置は、基板(1)の上部に設けられ、複数の画素の各々に複数形成された受光部(3A、3B)と、基板(1)の上方に設けられ、複数の金属配線(20)が形成された少なくとも一層の配線層(6)と、少なくとも一部が配線層(6)内の、複数の金属配線(20)間に設けられた絶縁膜(12)と、受光部(3A、3B)の直上において、絶縁膜(12)のうち配線層(6)内に設けられた部分を貫通し、絶縁膜(12)よりも高い屈折率を有する透明絶縁膜(10)とを備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)