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1. (WO2018088083) 受光素子、受光素子の製造方法および電子機器

Pub. No.:    WO/2018/088083    International Application No.:    PCT/JP2017/036431
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 07 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/146
H01L 27/144
H01L 31/10
H04N 5/369
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: ZAIZEN, Yoshifumi
財前 義史
MARUYAMA, Shunsuke
丸山 俊介
Title: 受光素子、受光素子の製造方法および電子機器
Abstract:
本開示の一実施形態の受光素子は、第1導電型を有する第1の化合物半導体を含み、赤外領域の波長を吸収して電荷を発生する光電変換層と、光電変換層上に形成された第1の半導体層と、光電変換層および第1の半導体層を囲んで形成された絶縁層とを備え、第1の半導体層は、光電変換層と対向する周縁部を除く中央部に第2導電型領域を有する。