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1. (WO2018087899) MOSFET及び電力変換回路

Pub. No.:    WO/2018/087899    International Application No.:    PCT/JP2016/083610
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Nov 12 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 27/04
H01L 29/12
H02M 1/00
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: ARAI, Daisuke
新井 大輔
KITADA, Mizue
北田 瑞枝
Title: MOSFET及び電力変換回路
Abstract:
本発明のMOSFET100は、n型コラム領域114及びp型コラム領域116と、ベース領域118と、ソース領域120とを有し、n型コラム領域114及びp型コラム領域116でスーパージャンクション構造が構成されている半導体基体110と、側壁及び底を有するトレンチ122と、トレンチ122内にゲート絶縁膜124を介して形成されたゲート電極126と、ゲート電極126とトレンチ122の底との間に位置するキャリア補償電極128と、側壁及び底からキャリア補償電極128を離隔させる絶縁領域130と、ソース領域120と電気的に接続されるとともにキャリア補償電極128とも電気的に接続されたソース電極132とを備えることを特徴とする。 本発明のMOSFET100によれば、ゲート周辺のチャージバランスのバラツキがあったとしても、MOSFETをターンオフしたときのスイッチング特性のバラツキを小さくすることができる。