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1. (WO2018087896) MOSFET及び電力変換回路

Pub. No.:    WO/2018/087896    International Application No.:    PCT/JP2016/083604
Publication Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Nov 12 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 29/78
H01L 27/04
H01L 29/12
H02M 1/00
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
新電元工業株式会社
Inventors: ARAI, Daisuke
新井 大輔
KITADA, Mizue
北田 瑞枝
Title: MOSFET及び電力変換回路
Abstract:
本発明のMOSFET100は、スーパージャンクション構造117を有する半導体基体110と、半導体基体110の第1主面側にゲート絶縁膜124を介して形成されたゲート電極126とを備え、スーパージャンクション構造117における所定深さ位置の深さxを横軸とし、スーパージャンクション構造117の所定深さ位置における平均正電荷密度ρ(x)を縦軸としたときに、MOSFETをターンオフしてスーパージャンクション構造117が空乏化したときの、スーパージャンクション構造117の所定深さ位置における平均正電荷密度ρ(x)は、上に凸の右上がりの曲線で表されることを特徴とする。 本発明のMOSFET100によれば、ゲート周辺のチャージバランスのバラツキがあったとしても、ターンオフしたときのスイッチング特性のバラツキを従来よりも小さくすることができる。