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1. (WO2018087795) フラッシュメモリモジュール及びフラッシュメモリモジュールの制御方法
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国際公開番号: WO/2018/087795 国際出願番号: PCT/JP2016/083021
国際公開日: 17.05.2018 国際出願日: 08.11.2016
IPC:
G06F 12/04 (2006.01) ,G06F 3/06 (2006.01) ,G06F 12/00 (2006.01)
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
02
アドレシングまたはアロケーション;リロケーション
04
可変長語,または語の一部,のアドレシング
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
3
計算機で処理しうる形式にデータを変換するための入力装置;処理ユニットから出力ユニットへデータを転送するための出力装置,例.インタフェース装置
06
記録担体からのデジタル入力または記録担体へのデジタル出力
G 物理学
06
計算;計数
F
電気的デジタルデータ処理
12
メモリ・システムまたはアーキテクチャ内でのアクセシング,アドレシングまたはアロケーティング(情報記憶一般G11)
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
水島 永雅 MIZUSHIMA, Nagamasa; JP
鶴谷 昌弘 TSURUYA, Masahiro; JP
新井 政弘 ARAI, Masahiro; JP
代理人:
特許業務法人藤央特許事務所 TOU-OU PATENT FIRM; 東京都港区虎ノ門一丁目16番4号アーバン虎ノ門ビル Urban Toranomon Bldg., 16-4, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) FLASH MEMORY MODULE AND CONTROL METHOD FOR FLASH MEMORY MODULE
(FR) MODULE DE MÉMOIRE FLASH ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR MODULE DE MÉMOIRE FLASH
(JA) フラッシュメモリモジュール及びフラッシュメモリモジュールの制御方法
要約:
(EN) This flash memory module comprises a flash memory which provides a storage region, a controller which controls writing of data to and reading of data from the storage region, and a buffer memory which temporarily stores data to be written to the storage region, wherein the controller selects either a first lossless compression method or a second lossless compression method on the basis of access performance to the flash memory, and determines that data should be compressed using the selected lossless compression method and written to the storage region, and wherein the first lossless compression method yields a lower compression ratio and a slower compression speed than the second lossless compression method.
(FR) L’invention concerne un module de mémoire flash comprenant : une mémoire flash qui fournit une zone de stockage ; une unité de commande qui commande l'écriture de données et la lecture de données dans la zone de stockage ; et un tampon de mémoire qui stocke temporairement les données à écrire dans la zone de stockage, l’unité de commande sélectionnant soit un premier procédé de compression sans perte soit un second procédé de compression sans perte d’après les performances d'accès à la mémoire flash, et qui détermine que les données doivent être compressées à l'aide du procédé de compression sans perte sélectionné puis écrites dans la zone de stockage, le premier procédé de compression sans perte fournissant un rapport de compression inférieur et une vitesse de compression plus lente que le second procédé de compression sans perte.
(JA) フラッシュメモリモジュールは、記憶領域を提供するフラッシュメモリと、記憶領域に対するデータの書き込み及び読み出しを制御するコントローラと、記憶領域に書き込むデータを一時的に記憶するバッファメモリと、を含み、コントローラは、フラッシュメモリへのアクセス性能に基づいて、第1可逆圧縮方式と第2可逆圧縮方式の一方を選択し、選択した一方によってデータを圧縮して記憶領域に書き込むことを決定し、第1可逆圧縮方式は、第2可逆圧縮方式より圧縮率が小さく、かつ第2可逆圧縮方式より圧縮速度が低い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)