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1. (WO2018084149) 樹脂組成物、樹脂シート、硬化膜、有機EL表示装置、半導体電子部品、半導体装置および有機EL表示装置の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/084149 国際出願番号: PCT/JP2017/039352
国際公開日: 11.05.2018 国際出願日: 31.10.2017
IPC:
C08L 79/08 (2006.01) ,C08F 8/48 (2006.01) ,C08G 8/28 (2006.01) ,C08K 5/20 (2006.01) ,C08K 5/29 (2006.01) ,C08L 25/18 (2006.01) ,C08L 61/14 (2006.01) ,C08L 79/04 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/023 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/02 (2006.01) ,H05B 33/22 (2006.01)
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
79
グループ61/00から77/00に属さない,主鎖のみに酸素または炭素を含みまたは含まずに窒素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物
04
主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
08
ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミドプリカーサー
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
8
後処理による化学的変性
48
異性化;環化
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
8
アルデヒドまたはケトンのフェノールのみとの重縮合体
28
化学的に変性された重縮合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K
無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5
有機配合成分の使用
16
窒素含有化合物
20
カルボン酸アミド
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
K
無機または非高分子有機物質の添加剤としての使用(ペイント,インキ,ワニス,染料,艶出剤,接着剤C09)
5
有機配合成分の使用
16
窒素含有化合物
29
炭素-窒素二重結合を含有する化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
25
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少くとも1つが芳香族炭素環によって停止されている化合物の単独重合体または共重合体の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
18
炭素および水素以外の元素を含有する芳香族単量体の単独重合体または共重合体
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
61
アルデヒドまたはケトンの縮重合体の組成物;そのような重合体の誘導体の組成物
04
アルデヒドまたはケトンとフェノールのみとの縮重合体
06
アルデヒドとフェノールとの
14
変性フェノール―アルデヒド縮合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
L
高分子化合物の組成物
79
グループ61/00から77/00に属さない,主鎖のみに酸素または炭素を含みまたは含まずに窒素を含む結合を形成する反応によって得られる高分子化合物の組成物
04
主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
022
キノンジアジド
023
高分子キノンジアジド;高分子添加剤,例.結合剤
G 物理学
09
教育;暗号方法;表示;広告;シール
F
表示;広告;サイン;ラベルまたはネームプレート;シール
9
情報が個別素子の選択または組合わせによって支持体上に形成される可変情報用の指示装置
30
必要な文字が個々の要素を組み合わせることによって形成されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
28
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる構成部品を含むもの
32
光放出に特に適用される構成部品を有するもの,例.有機発光ダイオードを使用したフラットパネル・ディスプレイ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
22
補助的な誘電体または反射層の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
出願人:
東レ株式会社 TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 東京都中央区日本橋室町2丁目1番1号 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038666, JP
発明者:
小森悠佑 KOMORI, Yusuke; JP
三好一登 MIYOSHI, Kazuto; JP
優先権情報:
2016-21477702.11.2016JP
発明の名称: (EN) RESIN COMPOSITION, RESIN SHEET, CURED FILM, ORGANIC EL DISPLAY DEVICE, SEMICONDUCTOR ELECTRONIC COMPONENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING ORGANIC EL DISPLAY DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE, FEUILLE DE RÉSINE, FILM DURCI, DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE, COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE EL ORGANIQUE
(JA) 樹脂組成物、樹脂シート、硬化膜、有機EL表示装置、半導体電子部品、半導体装置および有機EL表示装置の製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a resin composition which has high sensitivity and exhibits high chemical resistance even in cases where the resin composition is fired at a low temperature of 250°C or less, and which is able to be suppressed in the generation of an outgas after curing. The present invention is a resin composition which contains (a) an alkali-soluble resin that contains a polyimide, a polybenzoxazole, a polyamide-imide, a precursor of one of these compounds and/or a copolymer of these compounds and (b) an alkali-soluble resin that has a monovalent or divalent group represented by general formula (1) in a structural unit, and wherein the modification rate of phenolic hydroxyl groups of the alkali-soluble resin (b) is 5-50%. (In general formula (1), O represents an oxygen atom; R1 represents a hydrogen atom or an optionally substituted hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms; R2 represents an alkyl group having 1-5 carbon atoms; each of s and t independently represents an integer of 0-3, provided that (s + t) ≥ 1; d represents an integer of 0-2; u represents an integer of 1-2; and * represents a chemical bond.)
(FR) La présente invention concerne une composition de résine qui présente une sensibilité élevée et manifeste une résistance aux produits chimiques élevée même dans les cas où la composition de résine est enflammée à une basse température de 250 °C ou moins, et qui peut être éliminée lors de la génération d'un dégagement gazeux après durcissement. La présente invention est une composition de résine qui contient (a) une résine soluble dans les alcalis qui contient un polyimide, un polybenzoxazole, un polyamide-imide, un précurseur d'un de ces composés et/ou un copolymère de ces composés et (b) une résine soluble dans les alcalis qui contient un groupe monovalent ou divalent représenté par la formule générale (1) dans un motif structural, et où le taux de modification des groupes hydroxyle phénoliques de la résine soluble dans les alcalis (b) est de 5 à 50 %. (Dans la formule générale (1), O représente un atome d'oxygène ; R1 représente un atome d'hydrogène ou un groupe hydrocarboné éventuellement substitué ayant de 1 à 20 atomes de carbone ; R2 représente un groupe alkyle ayant de 1 à 5 atomes de carbone ; chacun des s et t représente indépendamment un nombre entier de 0 à 3, à condition que (s +t) ≥ 1 ; d représente un nombre entier de 0 à 2 ; u représente un nombre entier de 1 à 2 ; et * représente une liaison chimique).
(JA) 本発明は高感度で、250℃以下の低温で焼成した場合でも、耐薬品性が高く、硬化後のアウトガスの発生を抑制することのできる樹脂組成物を提供することである。本発明は(a)ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド、それらいずれかの前駆体および/またはそれらの共重合体を含むアルカリ可溶性樹脂と、(b)構造単位中に下記一般式(1)で表される1価または2価の基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有し、前記アルカリ可溶性樹脂(b)のフェノール性水酸基の変性率が5~50%である樹脂組成物である。 (一般式(1)中、Oは酸素原子を表す。Rは水素原子または置換されていてもよい炭素数1~20の炭化水素基、Rは炭素数1~5のアルキル基を表す。sおよびtはそれぞれ独立に0~3の整数を表す。ただし、s+t≧1である。dは0~2の整数を表す。uは1~2の整数を表し、*は化学結合を表す。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)