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1. (WO2018084020) 炭化珪素半導体装置および電力変換装置

Pub. No.:    WO/2018/084020    International Application No.:    PCT/JP2017/038294
Publication Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Oct 25 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/78
H01L 21/822
H01L 27/04
H01L 29/06
H01L 29/12
H01L 29/47
H01L 29/861
H01L 29/868
H01L 29/872
H02M 7/48
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: YAMASHIRO, Yusuke
山城 祐介
SUGAHARA, Kazuyuki
須賀原 和之
WATANABE, Hiroshi
渡邊 寛
EBIHARA, Kohei
海老原 洪平
Title: 炭化珪素半導体装置および電力変換装置
Abstract:
SiC-MOSFETの終端領域において、ウェルとドリフト層の間のpnダイオードの動作を抑制すると、高速スイッチング時の信頼性が低下する場合があった。 SiC-SBD内蔵MOSFETの終端領域に、活性領域のウェル領域30の不純物濃度より不純物濃度が低い外周ウェル31と、外周ウェル31の表層に形成された、活性領域のウェル領域30の不純物濃度より不純物濃度が高い、ソース電極80とオーミック接続する高濃度領域33を設ける。