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1. (WO2018084020) 炭化珪素半導体装置および電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/084020 国際出願番号: PCT/JP2017/038294
国際公開日: 11.05.2018 国際出願日: 24.10.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/822 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/47 (2006.01) ,H01L 29/861 (2006.01) ,H01L 29/868 (2006.01) ,H01L 29/872 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者: YAMASHIRO, Yusuke; JP
SUGAHARA, Kazuyuki; JP
WATANABE, Hiroshi; JP
EBIHARA, Kohei; JP
代理人: MURAKAMI, Kanako; JP
MATSUI, Jumei; JP
KURATANI, Yasutaka; JP
DATE, Kenro; JP
優先権情報:
2016-21406901.11.2016JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 炭化珪素半導体装置および電力変換装置
要約: front page image
(EN) There is a problem that reliability during fast switching decreases when operation of a p-n diode between a well and a drift layer is suppressed in the termination region of a SiC-MOSFET. A circumferential well 31 having an impurity concentration lower than the impurity concentration of an active well region 30 and a high-concentration region 33 having an impurity concentration higher than the impurity concentration of the active well region 30, the high-concentration region 33 being formed on the surface of the circumferential well 31 and being in ohmic contact with a source electrode 80, are provided in the termination region of a MOSFET having a SiC-SBD within.
(FR) Selon la présente invention, il existe un problème selon lequel la fiabilité pendant une commutation rapide diminue lorsque le fonctionnement d'une diode p-n entre un puits et une couche de dérive est supprimé dans la région de terminaison d'un MOSFET SiC. Un puits circonférentiel 31 ayant une concentration en impuretés inférieure à la concentration en impuretés d'une région de puits actif 30 et une région de concentration élevée 33 ayant une concentration en impuretés supérieure à la concentration en impuretés de la région de puits actif 30, la région de haute concentration 33 étant formée sur la surface du puits circonférentiel 31 et étant en contact ohmique avec une électrode de source 80, sont disposées dans la région de terminaison d'un MOSFET ayant un SiC-SBD à l'intérieur.
(JA) SiC-MOSFETの終端領域において、ウェルとドリフト層の間のpnダイオードの動作を抑制すると、高速スイッチング時の信頼性が低下する場合があった。 SiC-SBD内蔵MOSFETの終端領域に、活性領域のウェル領域30の不純物濃度より不純物濃度が低い外周ウェル31と、外周ウェル31の表層に形成された、活性領域のウェル領域30の不純物濃度より不純物濃度が高い、ソース電極80とオーミック接続する高濃度領域33を設ける。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)