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1. (WO2018083990) 撮像素子、撮像装置、並びに電子機器

Pub. No.:    WO/2018/083990    International Application No.:    PCT/JP2017/037791
Publication Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Oct 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/146
H01L 21/302
H04N 5/369
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: NEYA Koji
閨 宏司
Title: 撮像素子、撮像装置、並びに電子機器
Abstract:
本開示は、フォトダイオードから電荷蓄積部への電荷転送路を保持しつつ、低コストで電荷蓄積部を遮光することができるようにする撮像素子、撮像装置、並びに電子機器に関する。 フォトマスクパターンの形状をのうち、フォトダイオードのそれぞれの混色を防止する遮光性を備えた溝埋め込み膜を形成する溝を形成する部位の反応性ガスが流通する溝の幅や交差数を調整することで反応性ガスとの接触量に応じた溝の深さを調整する。これにより1枚のマスクパターンにより1回のドライエッチングにより複数の深さの溝埋め込み膜を形成することが可能となるので、製造コストを低減させることが可能となる。撮像素子に適用することができる。