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1. (WO2018083899) 単結晶引上げ装置
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国際公開番号: WO/2018/083899 国際出願番号: PCT/JP2017/033749
国際公開日: 11.05.2018 国際出願日: 19.09.2017
IPC:
C30B 29/06 (2006.01) ,C30B 15/04 (2006.01)
[IPC code unknown for C30B 29/06][IPC code unknown for C30B 15/04]
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
添田 聡 SOETA Satoshi; JP
中川 和也 NAKAGAWA Kazuya; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA Mikio; JP
小林 俊弘 KOBAYASHI Toshihiro; JP
優先権情報:
2016-21469101.11.2016JP
発明の名称: (EN) SINGLE CRYSTAL PULL-UP DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TIRAGE DE MONOCRISTAL
(JA) 単結晶引上げ装置
要約:
(EN) The present invention provides a single crystal pull-up device wherein dopant supply means comprises: a feeding device disposed outside a chamber, whereby a dopant is housed and fed into the chamber; a sublimation room disposed inside the chamber, wherein the dopant fed from the feeding device is held and sublimated; a carrier gas introduction device for introducing a carrier gas into the sublimation room; and a spraying device for spraying the dopant sublimated in the sublimation room, along with the carrier gas, onto a starting material melt surface. The spraying device comprises a tube communicating with the sublimation room and a plurality of spray openings, and, via the tube, the sublimated dopant is dispersed from the plurality of spray openings to be sprayed onto the starting material melt surface. Thus, when doping with a sublimating dopant, the single crystal pull-up device is capable of efficient doping with the dopant in the shortest time possible.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de tirage de monocristal dans lequel un moyen d’alimentation d’agent dopant comprend : un dispositif d’alimentation disposé à l’extérieur d’une chambre, moyennant quoi un agent dopant est logé et alimenté dans la chambre ; une pièce de sublimation disposée à l’intérieur de la chambre, l’agent dopant alimenté depuis le dispositif d’alimentation étant maintenu et sublimé ; un dispositif d’introduction de gaz porteur destiné à introduire un gaz porteur dans la pièce de sublimation ; et un dispositif de pulvérisation destiné à pulvériser l’agent dopant sublimé dans la pièce de sublimation, conjointement au gaz porteur, sur une surface fondue de matériau de départ. Le dispositif de pulvérisation comprend un tube communiquant avec la pièce de sublimation et une pluralité d’ouvertures de pulvérisation, et, par l’intermédiaire du tube, l’agent dopant sublimé est dispersé depuis la pluralité des ouvertures de pulvérisation en vue d'être pulvérisé sur la surface fondue de matériau de départ. Ensuite, lors du dopage avec un agent dopant de sublimation, le dispositif de tirage de monocristal est apte à effectuer un dopage efficace avec l’agent dopant sur une durée la plus courte possible.
(JA) 本発明は、単結晶引上げ装置であって、ドーパント供給手段は、チャンバーの外部に設けられ、ドーパントを収納し、チャンバー内へ投入する投入装置と、チャンバーの内部に設けられ、投入装置から投入されたドーパントを保持して昇華させる昇華室と、該昇華室にキャリアガスを導入するキャリアガス導入装置と、キャリアガスと一緒に、昇華室で昇華されたドーパントを原料融液面に吹付ける吹付装置とを備え、吹付装置は、昇華室とつながるチューブと複数の吹付口を備え、原料融液面に昇華されたドーパントを、チューブを介して複数の吹付口から分散して吹付ける単結晶引上げ装置を提供する。これにより、昇華性ドーパントをドープするにあたって、ドーパントをできるだけ短時間で効率良くドープすることができる単結晶引上げ装置が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)