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1. (WO2018083896) 半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/083896 国際出願番号: PCT/JP2017/033534
国際公開日: 11.05.2018 国際出願日: 15.09.2017
IPC:
H01S 5/22 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION[JP/JP]; 4-14-1 Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
発明者: MURAYAMA, Masahiro; JP
代理人: OMORI, Junichi; JP
優先権情報:
2016-21455501.11.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR LASER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR, LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法
要約: front page image
(EN) [Problem] The present invention addresses the problem of providing: a semiconductor element wherein electrical connection between a transparent conductive layer and a semiconductor layer can be sufficiently ensured; a semiconductor laser; and a method for manufacturing the semiconductor element. [Solution] A semiconductor element relating to the present technology is provided with a first semiconductor layer, a second semiconductor layer, an active layer, and a transparent conductive layer. The first semiconductor layer has a first conductivity type, and has a stripe-shaped ridge that is formed on the surface. When the width of a ridge surface, on which the transparent conductive layer is formed, said width being in the direction orthogonal to the extending direction of the ridge, is set as a first width, and a transparent conductive layer surface on the ridge side, said width being in the above-mentioned direction, is set as a second width, the second width is 0.99-1.0 times the first width. When the transparent conductive layer surface on the reverse side of the ridge, said width being in the above-mentioned direction, is set as a third width, the third width is 0.96-1.0 times the second width, and in the range of the third width, the transparent conductive layer has a uniform thickness within a range of 90-110 %.
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir : un élément semi-conducteur dans lequel une connexion électrique entre une couche conductrice transparente et une couche semi-conductrice peut être suffisamment assurée ; un laser à semi-conducteur ; et un procédé de fabrication de l'élément semi-conducteur. La solution selon l'invention porte sur un élément semi-conducteur se rapportant à la présente technologie, pourvu d'une première couche semi-conductrice, d'une seconde couche semi-conductrice, d'une couche active et d'une couche conductrice transparente. La première couche semi-conductrice a un premier type de conductivité, et est dotée d'une arête en forme de bande formée sur la surface. Lorsque la largeur d'une surface de crête sur laquelle la couche conductrice transparente est formée, ladite largeur étant dans la direction orthogonale à la direction d'extension de l'arête, est définie comme une première largeur, et une surface de couche conductrice transparente sur le côté de crête, ladite largeur étant dans la direction mentionnée ci-dessus, est définie comme une deuxième largeur, la seconde largeur est comprise entre 0,99 à 1,0 fois la première largeur. Lorsque la surface de couche conductrice transparente sur le côté inverse de l'arête, ladite largeur étant dans la direction mentionnée ci-dessus, est définie comme une troisième largeur, la troisième largeur est comprise entre 0,96 à 1,0 fois la deuxième largeur, et dans la plage de la troisième largeur, la couche conductrice transparente a une épaisseur uniforme comprise entre 90 et 110 %
(JA) 【課題】透明導電層と半導体層の電気的接続を十分に確保することが可能な半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】本技術に係る半導体素子は、第1半導体層と、第2半導体層と、活性層と、透明導電層とを具備する。第1半導体層は、第1の導電型を有し、表面にストライプ状のリッジが形成されている。リッジの上記透明導電層が形成される面の、リッジの延伸方向に直交する方向の幅を第1の幅とし、上記透明導電層の上記リッジ側の面の上記方向の幅を第2の幅とすると、第2の幅は第1の幅の0.99倍以上1.0倍以下であり、透明導電層の上記リッジとは反対側の面の上記方向の幅を第3の幅とすると、第3の幅は第2の幅の0.96倍以上1.0倍以下であり、透明導電層は、第3の幅の範囲内において厚みが90%以上110%以下の範囲で均一である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)