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1. (WO2018083896) 半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/083896    International Application No.:    PCT/JP2017/033534
Publication Date: Sat May 12 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Sep 16 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01S 5/22
H01S 5/042
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: MURAYAMA, Masahiro
村山 雅洋
Title: 半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法
Abstract:
【課題】透明導電層と半導体層の電気的接続を十分に確保することが可能な半導体素子、半導体レーザ及び半導体素子の製造方法を提供すること。 【解決手段】本技術に係る半導体素子は、第1半導体層と、第2半導体層と、活性層と、透明導電層とを具備する。第1半導体層は、第1の導電型を有し、表面にストライプ状のリッジが形成されている。リッジの上記透明導電層が形成される面の、リッジの延伸方向に直交する方向の幅を第1の幅とし、上記透明導電層の上記リッジ側の面の上記方向の幅を第2の幅とすると、第2の幅は第1の幅の0.99倍以上1.0倍以下であり、透明導電層の上記リッジとは反対側の面の上記方向の幅を第3の幅とすると、第3の幅は第2の幅の0.96倍以上1.0倍以下であり、透明導電層は、第3の幅の範囲内において厚みが90%以上110%以下の範囲で均一である。