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1. (WO2018083890) 半導体装置
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Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/083890    国際出願番号:    PCT/JP2017/033183
国際公開日: 11.05.2018 国際出願日: 14.09.2017
IPC:
H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01), H02M 1/08 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city Aichi 4488661 (JP)
発明者: NAGASE Takuo; (JP)
代理人: JIN Shunji; (JP)
優先権情報:
2016-215746 03.11.2016 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)This semiconductor device is provided with: a first semiconductor chip (32) wherein an IGBT is formed; a second semiconductor chip (33) wherein an MOSFET connected in parallel to the IGBT is formed; a first metal member (34) electrically connected to a collector electrode and a drain electrode; and a second metal member (38) electrically connected to an emitter electrode and a source electrode. The IGBT and the MOSFET connected in parallel to each other are turned on in the order of the IGBT and the MOSFET, and are turned off in the order of the MOSFET and the IGBT. The second metal member has: a main body section (380), on which the first and second semiconductor chips are mounted; and joint sections (381, 382) as terminal sections connected to the main body section. In planar view from the Z direction, the shortest distance between the joint sections and the first semiconductor chip is shorter than the shortest distance between the joint sections and the second semiconductor chip.
(FR)La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est pourvu : d'une première puce à semi-conducteur (32) dans laquelle un IGBT est formé ; d'une seconde puce à semi-conducteur (33) dans laquelle un MOSFET connecté en parallèle à l'IGBT est formé ; d'un premier élément métallique (34) connecté électriquement à une électrode de collecteur et à une électrode de drain ; et d'un second élément métallique (38) connecté électriquement à une électrode d'émetteur et à une électrode de source. L'IGBT et le MOSFET connectés en parallèle l'un à l'autre sont allumés dans l'ordre de l'IGBT et du MOSFET, et sont éteints dans l'ordre du MOSFET et de l'IGBT. Le second élément métallique comprend : une section de corps principal (380), sur laquelle les première et seconde puces à semi-conducteur sont montées ; et des sections de jonction (381, 382) sous forme de sections de borne reliées à la section de corps principal. Dans une vue en plan à partir de la direction Z, la distance la plus courte entre les sections de jonction et la première puce à semi-conducteur est plus courte que la distance la plus courte entre les sections de jonction et la seconde puce à semi-conducteur.
(JA)半導体装置は、IGBTが形成された第1半導体チップ(32)、IGBTと並列接続されるMOSFETが形成された第2半導体チップ(33)、コレクタ電極及びドレイン電極と電気的に接続された第1金属部材(34)、エミッタ電極及びソース電極と電気的に接続された第2金属部材(38)と、を備える。並列接続されたIGBT及びMOSFETは、IGBT、MOSFETの順でターンオンされるとともに、MOSFET、IGBTの順でターンオフされる。第2金属部材は、第1、第2半導体チップが搭載される本体部(380)と、本体部に連なる端子部としての継手部(381,382)を有する。Z方向からの平面視において、継手部と第1半導体チップとの最短距離が、継手部と第2半導体チップとの最短距離よりも短くなっている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)