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1. (WO2018083877) 発光素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/083877 国際出願番号: PCT/JP2017/031649
国際公開日: 11.05.2018 国際出願日: 01.09.2017
IPC:
H01S 5/183 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION[JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075, JP
発明者: SATO Susumu; JP
HAMAGUCHI Tatsushi; JP
IZUMI Shoichiro; JP
FUTAGAWA Noriyuki; JP
ITO Masamichi; JP
MITOMO Jugo; JP
NAKAJIMA Hiroshi; JP
代理人: YAMAMOTO Takahisa; JP
YOSHII Masaaki; JP
優先権情報:
2016-21475402.11.2016JP
発明の名称: (EN) LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 発光素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN) This light emitting element is provided with a laminated structure 20 formed of a GaN compound semiconductor, said laminated structure having laminated therein: a first compound semiconductor layer 21 having a first surface 21a, and a second surface 21b on the reverse side of the first surface 21a; an active layer 23 facing the second surface 21b of the first compound semiconductor layer 21; and a second compound semiconductor layer 22, which has a first surface 22a facing the active layer 23, and a second surface 22b on the reverse side of the first surface 22a. The light emitting element is also provided with: a first light reflecting layer 41 disposed on the first surface 21a side of the first compound semiconductor layer 21; and a second light reflecting layer 42 disposed on the second surface 22b side of the second compound semiconductor layer 22. The first light reflecting layer 41 has a concave mirror section 43, and the second light reflecting layer 42 has a flat shape.
(FR) La présente invention concerne un élément électroluminescent présentant une structure stratifiée (20) formée d'un semi-conducteur composé de GaN, ladite structure stratifiée étant intérieurement composée : d'une première couche de semi-conducteur composé (21) présentant une première surface (21a) et une seconde surface (21b) sur le côté opposé de la première surface (21a) ; d'une couche active (23) en regard de la seconde surface (21b) de la première couche de semi-conducteur composé (21) ; et une seconde couche de semi-conducteur composé (22) présentant une première surface (22a) en regard de la couche active (23), et une seconde surface (22b) sur le côté opposé de la première surface (22a). L'élément électroluminescent est également pourvu : d'une première couche réfléchissant la lumière (41) disposée sur le côté de la première surface (21a) de la première couche de semi-conducteur composé (21) ; et d'une seconde couche réfléchissant la lumière (42) disposée sur le côté de la seconde surface (22b) de la seconde couche de semi-conducteur composé (22). La première couche réfléchissant la lumière (41) présente une section de miroir concave (43), et la seconde couche réfléchissant la lumière (42) présente une forme plate.
(JA) 発光素子は、第1面21a、及び、第1面21aと対向する第2面21bを有する第1化合物半導体層21、第1化合物半導体層21の第2面21bと面する活性層23、並びに、活性層23と面する第1面22a、及び、第1面22aと対向する第2面22bを有する第2化合物半導体層22が積層された、GaN系化合物半導体から成る積層構造体20;第1化合物半導体層21の第1面21a側に配設された第1光反射層41;並びに、第2化合物半導体層22の第2面22b側に配設された第2光反射層42を備えており、第1光反射層41は凹面鏡部43を有し、第2光反射層42は平坦な形状を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)