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1. (WO2018079833) 抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置、及び不揮発性フリップフロップ

Pub. No.:    WO/2018/079833    International Application No.:    PCT/JP2017/039342
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Nov 01 00:59:59 CET 2017
IPC: G11C 11/16
G11C 14/00
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
Inventors: HANYU Takahiro
羽生 貴弘
SUZUKI Daisuke
鈴木 大輔
OHNO Hideo
大野 英男
ENDOH Tetsuo
遠藤 哲郎
Title: 抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置、及び不揮発性フリップフロップ
Abstract:
抵抗変化を生じる記憶素子の一端に導電性電極、他端に読み出し電極を備え、導電性電極に電流を流すことにより記憶素子に抵抗変化を生じさせる抵抗変化型記憶素子において、抵抗変化型記憶素子へのデータの書き込みの終了を検出する。抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置は、抵抗変化を生じる記憶素子の一端に導電性電極、他端に読み出し電極を備え、導電性電極に書き込み電流を流すことにより記憶素子に抵抗変化を生じさせる抵抗変化型記憶素子のデータ書き込み装置であり、書き込み手段と、出力手段と、制御手段とを備える。出力手段を電源と読み出し電極間に設け、出力手段から記憶素子からの読み出し信号、及び書き込み手段による記憶素子の書き込み状態をモニタするモニタ信号を出力信号として出力する。モニタ信号によって抵抗変化型記憶素子へのデータの書き込みの終了を検出する。