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1. (WO2018079494) 液処理方法及び液処理装置
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国際公開番号:    WO/2018/079494    国際出願番号:    PCT/JP2017/038207
国際公開日: 03.05.2018 国際出願日: 23.10.2017
IPC:
H01L 21/306 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
発明者: FUJIMOTO Seiya; (JP).
KOSAI Kazuki; (JP)
代理人: NAGAI Hiroshi; (JP).
NAKAMURA Yukitaka; (JP).
SATO Yasukazu; (JP).
ASAKURA Satoru; (JP).
MORI Hideyuki; (JP).
MURAKOSHI Suguru; (JP)
優先権情報:
2016-209840 26.10.2016 JP
発明の名称: (EN) FLUID TREATMENT METHOD AND FLUID TREATMENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE FLUIDE
(JA) 液処理方法及び液処理装置
要約: front page image
(EN)Provided are a fluid treatment method and a fluid treatment device with which it is possible to form a flat film on a substrate with good precision. The fluid treatment method includes a first step S1 and a second step S2. In the first step S1, while a substrate (wafer) is rotated, an etching fluid is supplied to a film that is formed at the outer peripheral section and is thicker than at the center part. In the first step S1, an etching prevention fluid for preventing etching of the film by the etching fluid is supplied nearer to the center side of the substrate than the position at which the etching fluid is supplied, and the film in the outer peripheral section is etched. The second step S2 is performed after the first step S1, and in the second step S2, the etching fluid is supplied to the rotating substrate and etching is performed to a preset film thickness.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif de traitement de fluide grâce auxquels il est possible de former avec précision un film plat sur un substrat. Le procédé de traitement de fluide comprend une première étape S1 et une seconde étape S2. Dans la première étape S1, pendant qu'un substrat (tranche) est mis en rotation, un fluide de gravure est fourni à un film qui est formé au niveau de la section périphérique externe et qui est plus épais qu'au niveau de la partie centrale. Dans la première étape S1, un fluide de prévention de gravure permettant d'éviter la gravure du film par le fluide de gravure est fourni plus près du côté central du substrat que la position à laquelle le fluide de gravure est fourni, et le film dans la section périphérique externe est gravé. La seconde étape S2 est effectuée après la première étape S1, et dans la seconde étape S2, le fluide de gravure est fourni au substrat rotatif et la gravure est effectuée à une épaisseur de film préétablie.
(JA)平坦な膜を基板に精度良く形成することができる液処理方法及び液処理装置を提供する。液処理方法は、第1の工程S1及び第2の工程S2を含む。第1の工程S1では、基板(ウエハ)を回転させながら外周部に形成された中心部より厚い膜にエッチング液を供給する。第1の工程S1では、エッチング液が供給される位置よりも基板の中心側にエッチング液による膜のエッチングを阻害するエッチング阻害液を供給して外周部の膜をエッチングする。第2の工程S2は第1の工程S1の後に行われ、第2の工程S2では回転する基板にエッチング液を供給して予め設定された膜厚までエッチングする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)