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1. (WO2018079449) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
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国際公開番号: WO/2018/079449 国際出願番号: PCT/JP2017/038053
国際公開日: 03.05.2018 国際出願日: 20.10.2017
IPC:
G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro; JP
國田 一人 KUNITA Kazuto; JP
高橋 秀知 TAKAHASHI Hidenori; JP
渋谷 明規 SHIBUYA Akinori; JP
小川 倫弘 OGAWA Michihiro; JP
東 耕平 HIGASHI Kohei; JP
代理人:
中島 順子 NAKASHIMA Junko; JP
米倉 潤造 YONEKURA Junzo; JP
村上 泰規 MURAKAMI Yasunori; JP
優先権情報:
2016-21091327.10.2016JP
2017-04402408.03.2017JP
2017-18447626.09.2017JP
発明の名称: (EN) ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE À LA LUMIÈRE ACTIVE OU SENSIBLE AU RAYONNEMENT, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
要約:
(EN) Provided are an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition that has large exposure latitude and can form a pattern of small LWR, a resist film, a pattern forming method, and an electronic device manufacturing method. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes: a compound A that has a plurality of reactive groups X or functional groups A including precursor groups of the reactive groups X; and a compound B that has a plurality of reactive groups Y that react with the reactive groups X or functional groups B including precursor groups of the reactive groups X. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition further includes a photoacid generator, or at least one of the compound A or the compound B further has a photoacid generation group.
(FR) L’invention fournit une composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement, un film de réserve, un procédé de formation de motif et un procédé de fabrication de dispositif électronique. Ladite composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement permet de former un motif de faible LWR, et présente une importante latitude d’exposition. Cette composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement contient : un composé (A) qui possède une pluralité de groupes fonctionnels (A) incluant un groupe réactif (X) ou un groupe précurseur de celui-ci ; et un composé (B) qui possède une pluralité de groupes fonctionnels (B) incluant un groupe réactif (Y) réagissant avec le groupe réactif (X) ou un groupe précurseur de ce groupe réactif (Y). En outre, soit la composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement contient un agent générateur de photo-acide, soit le composant (A) et/ou le composant (B) possède un groupe générateur de photo-acide.
(JA) LWRの小さいパターンを形成することができ、かつ、露光ラチチュードが大きい感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法を提供する。感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、反応性基X又はその前駆体基を含む官能基Aを複数有する化合物Aと、反応性基Xと反応する反応性基Y又はその前駆体基を含む官能基Bを複数有する化合物Bと、を含み、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が更に光酸発生剤を含むか、又は、化合物A及び化合物Bの少なくとも一方が更に光酸発生基を有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)