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1. (WO2018079417) 半導体装置

Pub. No.:    WO/2018/079417    International Application No.:    PCT/JP2017/037893
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Oct 20 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/739
H01L 29/78
H01L 29/861
H01L 29/868
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: MURAKAWA Koichi
村川 浩一
SUMITOMO Masakiyo
住友 正清
TAKAHASHI Shigeki
高橋 茂樹
Title: 半導体装置
Abstract:
IGBT領域(1a)とダイオード領域(1b)との間、つまりダイオード領域(1b)と隣接する位置に、IGBT領域(1a)よりも高濃度P型層の形成割合が少ない境界領域(1c)を設ける。これにより、リカバリ時に、IGBT領域(1a)からダイオード領域(1b)へのホール注入を抑制できると共に、境界領域(1c)に形成されている高濃度P型層の形成割合が少ないため、境界領域(1c)の高濃度P型層からのホール注入量も少なくできる。したがって、リカバリ時の最大逆方向電流Irrの増加を抑制できると共に、カソード側のキャリア密度を低くしてテール電流の増大を抑制することができる。これによって、スイッチング損失を低減することができるだけでなく、リカバリ破壊に対しても耐性の高い半導体装置とすることができる。