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1. (WO2018079350) TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/079350    International Application No.:    PCT/JP2017/037578
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Wed Oct 18 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
H01Q 3/36
H01Q 3/44
H01Q 13/22
Applicants: SHARP KABUSHIKI KAISHA
シャープ株式会社
Inventors: MISAKI Katsunori
美崎 克紀
Title: TFT基板、TFT基板を備えた走査アンテナ、およびTFT基板の製造方法
Abstract:
TFT基板(105)は、TFT(10)のゲート電極(3G)およびパッチ電極(3PE)を含むゲートメタル層(3)と、ゲートメタル層上に形成され、パッチ電極に達する第1開口部(4a)を有するゲート絶縁層(4)と、ゲート絶縁層上に形成され、TFTのソース電極(7S)、ドレイン電極(7D)およびドレイン電極から延設されたドレイン延設部(7de)を含むソースメタル層(7)と、ソースメタル層上に形成された層間絶縁層(11)であって、誘電体基板(1)の法線方向から見たとき第1開口部に重なる第2開口部(11a)と、ドレイン延設部に達する第3開口部(11b)とを有する層間絶縁層と、層間絶縁層上に形成され、パッチドレイン接続部(19a)を含む導電層(19)とを有する。パッチドレイン接続部は、第1開口部内でパッチ電極と接触し、第3開口部内でドレイン延設部と接触している。