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1. (WO2018079314) 半導体センサおよびその製造方法、ならびに複合センサ

Pub. No.:    WO/2018/079314    International Application No.:    PCT/JP2017/037226
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 14 01:59:59 CEST 2017
IPC: G01N 33/543
G01N 27/327
G01N 27/414
Applicants: TORAY INDUSTRIES, INC.
東レ株式会社
Inventors: NAITO, Kojiro
内藤 孝二郎
NAGAO, Kazumasa
長尾 和真
MURASE, Seiichiro
村瀬 清一郎
Title: 半導体センサおよびその製造方法、ならびに複合センサ
Abstract:
半導体センサにおいてターゲット物質を選択的かつ高感度に検出するために、基板と、第1電極と、第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた半導体層と、を有する半導体センサであって、半導体層は、半導体成分と、免疫グロブリンの部分構造体とを含み、免疫グロブリンの部分構造体が、重鎖のヒンジ領域において、連結基L1を介して半導体成分に結合または付着している。 さらに、半導体センサの製造方法であって、半導体層を形成する工程が、第1電極と第2電極の間に半導体成分を塗布する工程を含む。