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1. (WO2018079105) ウェーハの製造方法およびウェーハ
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国際公開番号: WO/2018/079105 国際出願番号: PCT/JP2017/032814
国際公開日: 03.05.2018 国際出願日: 12.09.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 7/22 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
7
平担なガラス面の研磨を含む工作物の平面を研削するために設計された機械または装置;そのための附属装置
20
研削されるべき非金属物体の材質の特性に対する特別な設計により特徴づけられるもの
22
無機材料,例.石,セラミック,磁器,を研削するもの
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
発明者:
田中 利幸 TANAKA Toshiyuki; JP
又川 敏 MATAGAWA Satoshi; JP
中島 亮 NAKASHIMA Akira; JP
代理人:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 3階 3rd Floor, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
優先権情報:
2016-21277431.10.2016JP
発明の名称: (EN) WAFER MANUFACTURING METHOD AND WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ET TRANCHE
(JA) ウェーハの製造方法およびウェーハ
要約:
(EN) A resin layer forming process for forming a resin layer (RH) on one surface (W1) of a wafer (W) includes: a holding step for holding, through suction, the other surface (W2) of the wafer (W) by a holding means; a flat surface forming step for sandwiching a curable resin having a viscosity not greater than 1000 mPa·s between the flat part of a flat plate and one surface (W1) of the wafer (W) so as to form a pre-cured flat surface conforming to the flat part on the curable resin; a hold releasing step for releasing the holding, through suction, of the other surface (W2); a curing step for forming the resin layer (RH) by curing the curable resin; and a separation step for separating the flat part from the resin layer (RH).
(FR) L'invention concerne un procédé de formation de couche de résine pour former une couche de résine (RH) sur une surface (W1) d'une tranche (W) comprenant : une étape de maintien pour maintenir, par aspiration, l'autre surface (W2) de la tranche (W) par un moyen de maintien; une étape de formation de surface plate pour prendre en sandwich une résine durcissable ayant une viscosité non supérieure à 1000 mPa·s entre la partie plate d'une plaque plate et une surface (W1) de la tranche (W) de manière à former une surface plate pré-durcie se conformant à la partie plate sur la résine durcissable; une étape de libération de maintien pour libérer le support, par aspiration, de l'autre surface (W2); une étape de durcissement pour former la couche de résine (RH) par durcissement de la résine durcissable; et une étape de séparation pour séparer la partie plate de la couche de résine (RH).
(JA) ウェーハ(W)の一方の面(W1)に樹脂層(RH)を形成する樹脂層形成工程は、ウェーハ(W)の他方の面(W2)を保持手段で吸引保持する保持工程と、平板の平坦部とウェーハ(W)の一方の面(W1)との間に粘度が1000mPa・s以下の硬化性樹脂を挟み、平坦部に倣う硬化前平坦面を硬化性樹脂に形成する平坦面形成工程と、他方の面(W2)の吸引保持を解除する保持解除工程と、硬化性樹脂を硬化させて樹脂層(RH)を形成する硬化工程と、平坦部を樹脂層(RH)から離間させる離間工程とを含んでいる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)