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1. (WO2018078944) 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/078944    International Application No.:    PCT/JP2017/021354
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Jun 09 01:59:59 CEST 2017
IPC: C30B 29/36
C23C 16/42
C30B 25/14
H01L 21/205
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: WADA, Keiji
和田 圭司
Title: 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法
Abstract:
炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法は、複数の炭化珪素単結晶基板を基板ホルダに設置する工程と、基板ホルダを炭化珪素単結晶基板の主面に対し垂直方向を軸に回転させて、炭素を含むガス、珪素を含むガス、窒素ガス及びアンモニアガスを供給することにより複数の炭化珪素単結晶基板の上に同時に炭化珪素エピタキシャル層を成膜する工程と、を有する。窒素ガスの流量に対するアンモニアガスの流量は、0.0089以下である。