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1. (WO2018078892) 化合物半導体デバイス及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/078892    International Application No.:    PCT/JP2016/088493
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Dec 23 00:59:59 CET 2016
IPC: H01L 21/338
H01L 29/778
H01L 29/812
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: SASAKI, Hajime
佐々木 肇
Title: 化合物半導体デバイス及びその製造方法
Abstract:
基板(1)上に半導体層(2,3)が形成されている。半導体層(3)上にゲート電極(4)、ソース電極(5)及びドレイン電極(6)が形成されている。第1のパッシベーション膜(7)がゲート電極(4)及び半導体層(3)を覆っている。ソースフィールドプレート(9)が第1のパッシベーション膜(7)上に形成され、ソース電極(5)からゲート電極(4)とドレイン電極(6)との間まで延びている。第2のパッシベーション膜(10)が第1のパッシベーション膜(7)及びソースフィールドプレート(9)を覆っている。ソースフィールドプレート(9)のドレイン電極(6)側の端部が丸く湾曲加工されている。