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1. (WO2018078775) 半導体装置
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国際公開番号: WO/2018/078775 国際出願番号: PCT/JP2016/081929
国際公開日: 03.05.2018 国際出願日: 27.10.2016
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
06
半導体本体の形状に特徴のあるもの;半導体領域の形状,相対的な大きさまたは配列に特徴のあるもの
出願人:
サンケン電気株式会社 SANKEN ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 埼玉県新座市北野3丁目6番3号 6-3, Kitano 3-chome, Niiza-shi, Saitama 3528666, JP
発明者:
福永 俊介 FUKUNAGA Shunsuke; JP
近藤 太郎 KONDO Taro; JP
代理人:
三好 秀和 MIYOSHI Hidekazu; JP
高橋 俊一 TAKAHASHI Shunichi; JP
伊藤 正和 ITO Masakazu; JP
高松 俊雄 TAKAMATSU Toshio; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約:
(EN) This semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate, a trench insulating film 50 that is disposed on the inner wall surface of a groove formed in the film thickness direction from the top surface of the semiconductor substrate and has a charged region which is positively charged, and a gate electrode 80 that is disposed above the trench insulating film 50 in the interior of the groove. The positive charge density of the charged region in a side portion of the trench insulating film 50 that is in the outer region touching the semiconductor substrate and is disposed on at least a side surface of the groove is higher than the positive charge density in the inner region of the trench insulating film opposite the outer region.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est équipé d'un substrat semi-conducteur, d'un film isolant de tranchée 50 qui est disposé sur la surface de paroi interne d'une rainure formée dans la direction de l'épaisseur du film à partir de la surface supérieure du substrat semi-conducteur et a une région chargée qui est chargée positivement, et une électrode de grille 80 qui est disposée au-dessus du film isolant de tranchée 50 à l'intérieur de la rainure. La densité de charge positive de la région chargée dans une partie latérale du film isolant de tranchée 50 qui est dans la région externe touchant le substrat semi-conducteur et est disposée sur au moins une surface latérale de la rainure est supérieure à la densité de charge positive dans la région interne du film isolant de tranchée opposée à la région externe.
(JA) 半導体基体と、半導体基体の上面から膜厚方向に形成された溝の内壁面に配置され、正に帯電した帯電領域を有するトレンチ絶縁膜50と、溝の内部でトレンチ絶縁膜50の上に配置されたゲート電極80とを備え、トレンチ絶縁膜50の半導体基体と接する外側領域の少なくとも溝の側面に配置された側面部分の帯電領域の正電荷密度が、トレンチ絶縁膜の外側領域と対向する内側領域の正電荷密度よりも高い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)