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1. (WO2018078766) 撮像ユニット、内視鏡、および撮像ユニットの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/078766    国際出願番号:    PCT/JP2016/081896
国際公開日: 03.05.2018 国際出願日: 27.10.2016
IPC:
H01L 27/14 (2006.01), A61B 1/04 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01)
出願人: OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 2951 Ishikawa-machi, Hachioji-shi, Tokyo 1928507 (JP)
発明者: SHIMOHATA Takahiro; (JP).
IGARASHI Takatoshi; (--)
代理人: ITOH Susumu; (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) IMAGING UNIT, ENDOSCOPE, AND IMAGING UNIT PRODUCTION METHOD
(FR) UNITÉ D'IMAGERIE, ENDOSCOPE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNITÉ D'IMAGERIE
(JA) 撮像ユニット、内視鏡、および撮像ユニットの製造方法
要約: front page image
(EN)An imaging unit 1 is provided with: an element laminated body 20 which is formed by laminating an imaging element 10 and a plurality of semiconductor elements 21-24; and a signal cable 30 having a conductor wire 31 and a shielded conductor wire 33. In the imaging unit: the semiconductor elements 21-24 have notches T21-T24 formed therein; the notches T21-T24 are connected with each other so that a groove T20 parallel to an optical axis direction is formed in a lateral surface of the element laminated body 20; lateral surface electrodes 21C, 23C are respectively disposed on the notch surfaces of the semiconductor elements 21, 23; the conductor wire 31 and the shielded conductor wire 33 are respectively housed in the notches T21, T23 that have radii R21, R23 corresponding to the radii R31, R33; and the conductor wire 31 is joined to the lateral surface electrode 21C, whereas the shielded conductor wire 33 is joined to the lateral surface electrode 23C.
(FR)L'invention concerne une unité d'imagerie 1 comprenant : un corps stratifié d'élément 20 qui est formé par stratification d'un élément d'imagerie 10 et une pluralité d'éléments semiconducteurs 21-24; et un câble de signal 30 ayant un fil conducteur 31 et un fil conducteur blindé 33. Dans l'unité d'imagerie : les éléments semiconducteurs 21-24 comportent des encoches T21-T24 formées dans celle-ci; les encoches T21-T24 sont reliées l'une à l'autre de telle sorte qu'une rainure T20 parallèle à une direction d'axe optique est formée dans une surface latérale du corps d'élément stratifié 20; des électrodes de surface latérale 21C, 23C sont respectivement disposées sur les surfaces d'encoche des éléments semiconducteurs 21, 23; le fil conducteur 31 et le fil conducteur blindé 33 sont respectivement logés dans les encoches T21, T23 qui ont des rayons R21, R23 correspondant aux rayons R31, R33; et le fil conducteur 31 est relié à l'électrode de surface latérale 21C, tandis que le fil conducteur blindé 33 est relié à l'électrode de surface latérale 23C.
(JA)撮像ユニット1は、撮像素子10と複数の半導体素子21~24が積層された素子積層体20と、導線31とシールド導線33とを有する信号ケーブル30と、を具備し、複数の半導体素子21~24に切り欠きT21~T24があり、連通した複数の切り欠きT21~T24により、素子積層体20の側面に光軸方向に平行な溝T20が構成されており、半導体素子21、23の切り欠き面に側面電極21C、23Cが配設されており、導線31とシールド導線33とが、その径R31、R33に応じた径R21、R23の切り欠きT21、T23に収容されており、導線31が側面電極21Cと接合され、シールド導線33が側面電極23Cと、接合されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)