国際・国内特許データベース検索

1. (WO2018078686) 高周波増幅器

Pub. No.:    WO/2018/078686    International Application No.:    PCT/JP2016/081406
Publication Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Oct 25 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 23/28
H01L 23/00
H01L 23/12
H03F 3/193
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: MATSUI, Toshio
松井 敏夫
Title: 高周波増幅器
Abstract:
半導体基板(1)の表面にトランジスタ(2)が形成されている。第1及び第2の配線(10,11)がトランジスタ(2)を挟むように半導体基板1の表面上に形成されている。複数のワイヤ(20)がトランジスタ(2)の上方を通って第1及び第2の配線(10,11)に接続されている。封止材(21)がトランジスタ(2)、第1及び第2の配線(10,11)、及び複数のワイヤ(20)を封止する。封止材(21)はフィラー(21a)を含有する。複数のワイヤ(20)の互いの離間距離はフィラー(21a)の粒径より狭い。複数のワイヤ(20)とトランジスタ(2)との間に封止材(21)が入り込んでいない空洞(22)が形成されている。