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1. (WO2018074608) 薄膜トランジスタおよびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/074608    International Application No.:    PCT/JP2017/038087
Publication Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Sat Oct 21 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
C01G 25/00
H01L 21/316
H01L 21/336
Applicants: TOPPAN PRINTING CO., LTD.
凸版印刷株式会社
JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
国立大学法人北陸先端科学技術大学院大学
Inventors: SHIMODA Tatsuya
下田 達也
LI Jinwang
李 金望
KOYAMA Hiroaki
小山 浩晃
Title: 薄膜トランジスタおよびその製造方法
Abstract:
本開示は、良好な電気特性を有する薄膜トランジスタを提供することを目的とする。本開示の薄膜トランジスタは、ゲート絶縁層が、セリウム、プラセオジム、ネオジム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウム、およびイットリウムからなる群から選択される金属と、ジルコニウムとを含む酸化物から形成されているか、または、ハフニウム、ジルコニウム、およびアルミニウムからなる群から選択される少なくとも1種類の金属元素を含む酸化物から形成されており、酸化物半導体層が、インジウムを含む酸化物、インジウムと錫とを含む酸化物、インジウムと亜鉛とを含む酸化物、インジウムとジルコニウムと亜鉛とを含む酸化物、インジウムとガリウムとを含む酸化物、およびインジウムと亜鉛とガリウムとを含む酸化物の群から選択される酸化物から形成されている。