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1. (WO2018074512) 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/074512    International Application No.:    PCT/JP2017/037685
Publication Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Oct 19 01:59:59 CEST 2017
IPC: G03F 1/54
G03F 1/24
G03F 1/38
G03F 1/48
G03F 7/20
Applicants: HOYA CORPORATION
HOYA株式会社
Inventors: IKEBE Yohei
池邊 洋平
SHOKI Tsutomu
笑喜 勉
Title: 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
Abstract:
EUVリソグラフィのシャドーイング効果を低減し、微細なパターンを形成することが可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクを提供する。このことにより安定して高い転写精度で半導体装置を製造する。 基板上(1)に、多層反射膜(2)、吸収体膜(4)及びエッチングマスク膜(5)をこの順で有する反射型マスクブランク(100)であって、前記吸収体膜(4)は、ニッケル(Ni)を含む材料からなり、前記エッチングマスク膜(5)は、クロム(Cr)を含む材料又はケイ素(Si)を含む材料を含む材料からなることを特徴とする反射型マスクブランク(100)とする。