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1. (WO2018074425) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/074425 国際出願番号: PCT/JP2017/037398
国際公開日: 26.04.2018 国際出願日: 16.10.2017
IPC:
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/06 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/41 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/49 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
発明者: NAITO Tatsuya; JP
代理人: RYUKA IP LAW FIRM; 22F, Shinjuku L Tower, 1-6-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1631522, JP
優先権情報:
2016-20393917.10.2016JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN) There are cases in which an n+ type accumulation region is supplied to a mesa region that is between neighboring gate trench parts. The accumulation region is formed by ion implantation, for example. If an edge section of a mask that is used during the ion implantation droops, a problem occurs wherein the accumulation region is not formed at a prescribed depth of the mesa region. Provided is a semiconductor device comprising: an edge end part that is provided to a peripheral section of a semiconductor substrate; and an active part that is surrounded by the edge end part, wherein the active part has a plurality of gate trench parts that are arranged along a predetermined arrangement direction, a plurality of dummy trench parts that are provided between the edge end part and the gate trench parts that are closest, among the plurality of gate trench parts, to the edge end part, a mesa region that is positioned between each of the plurality of dummy trench parts, and an accumulation region of a first conduction type that is provided to at least a section of the mesa region.
(FR) Il existe des cas dans lesquels une région d'accumulation de type n+ est fournie à une région mesa qui se trouve entre des parties de tranchée de grille voisines. La région d'accumulation est formée par implantation ionique, par exemple. Si une section de bord d'un masque qui est utilisée pendant l'implantation ionique chute, un problème se produit, la région d'accumulation n'étant pas formée à une profondeur prescrite de la région mesa. L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur comprenant : une partie d'extrémité de bord qui est disposée sur une section périphérique d'un substrat semi-conducteur ; et une partie active qui est entourée par la partie d'extrémité de bord, la partie active ayant une pluralité de parties de tranchée de grille qui sont agencées le long d'une direction d'agencement prédéterminée, une pluralité de parties de tranchée factices qui sont disposées entre la partie d'extrémité de bord et les parties de tranchée de grille qui sont les plus proches, parmi la pluralité de parties de tranchée de grille, de la partie d'extrémité de bord, une région mesa qui est positionnée entre chaque partie de la pluralité de parties de tranchée factices, et une région d'accumulation d'un premier type de conduction qui est disposée sur au moins une section de la région mesa.
(JA) 隣接するゲートトレンチ部間のメサ領域にn型の蓄積領域を設ける場合がある。蓄積領域は、例えばイオン注入により形成される。イオン注入時に用いるマスクの端部が垂れると、メサ領域の所定の深さに蓄積領域が形成されないという問題がある。半導体基板の周辺部に設けられたエッジ終端部と、エッジ終端部に囲まれた活性部とを備え、活性部は、予め定められた配列方向に沿って配列された複数のゲートトレンチ部と、複数のゲートトレンチ部のうち最もエッジ終端部に近いゲートトレンチ部とエッジ終端部との間に設けられた複数のダミートレンチ部と、複数のダミートレンチ部の各々の間に位置するメサ領域と、メサ領域の少なくとも一部に設けられた第1導電型の蓄積領域とを有する、半導体装置を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)