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1. (WO2018074283) レーザ処理装置およびレーザ処理方法
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国際公開番号: WO/2018/074283 国際出願番号: PCT/JP2017/036660
国際公開日: 26.04.2018 国際出願日: 10.10.2017
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
268
電磁波,例.レーザ光線,を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
株式会社日本製鋼所 THE JAPAN STEEL WORKS,LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎一丁目11番1号 11-1, Osaki 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410032, JP
発明者:
鄭 石煥 CHUNG Suk-Hwan; JP
町田 政志 MACHIDA Masashi; JP
代理人:
横井 幸喜 YOKOI Koki; JP
優先権情報:
2016-20609520.10.2016JP
発明の名称: (EN) LASER PROCESSING APPARATUS AND LASER PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT LASER ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT LASER
(JA) レーザ処理装置およびレーザ処理方法
要約:
(EN) This invention is provided with a scan movement unit for moving a workpiece and/or laser light, a laser light irradiation unit for irradiating a workpiece with laser light, and a gas release unit for releasing at least a first gas onto an irradiation region of the workpiece irradiated with the laser light. The gas release unit has a rectification surface at the position facing the workpiece being irradiated with the laser light. The rectification surface is provided with: a first gas release port for releasing the first gas; and front and rear gas suction ports and/or a second gas release port for releasing a second gas onto the workpiece being irradiated with the laser light, provided on the two outer sides of the first gas release port in at least the scan direction.
(FR) Cette invention comprend une unité de mouvement de balayage conçue pour déplacer une pièce à travailler et/ou une lumière laser, une unité d'irradiation de lumière laser pour irradier une pièce à travailler d'une lumière laser, et une unité de libération de gaz pour libérer au moins un premier gaz sur une région d'irradiation de la pièce à travailler irradiée de la lumière laser. L'unité de libération de gaz a une surface de rectification dans la position faisant face à la pièce à travailler irradiée de la lumière laser. La surface de rectification comprend : un premier orifice de libération de gaz pour libérer le premier gaz; et des orifices d'aspiration de gaz avant et arrière et/ou un second orifice de libération de gaz pour libérer un second gaz sur la pièce à travailler irradiée de la lumière laser, disposés sur les deux côtés extérieurs du premier orifice de libération de gaz dans au moins la direction de balayage.
(JA) 被処理体およびレーザ光の一方または両方を移動させる走査移動部と、被処理体にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、被処理体においてレーザ光が照射されている照射領域に対し、少なくとも第1のガスを放出するガス放出部と、を備え、ガス放出部は、レーザ光照射中の被処理体と対面する位置に整流面を有し、整流面には、第1のガスが放出される第1ガス放出口と、少なくとも走査方向において、第1ガス放出口の両外側で、レーザ光照射中の被処理体に対し第2のガスを放出する第2ガス放出口およびガス前後吸引口の一方または両方が設けられている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)