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1. (WO2018074228) 半導体装置およびその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/074228    International Application No.:    PCT/JP2017/036055
Publication Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Thu Oct 05 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/329
H01L 21/28
H01L 29/861
H01L 29/866
H01L 29/868
Applicants: DENSO CORPORATION
株式会社デンソー
Inventors: YANAGI Shinichirou
柳 振一郎
NONAKA Yusuke
野中 裕介
NOMA Seiji
野間 誠二
SAKURAI Shinya
櫻井 晋也
IKEURA Shogo
池浦 奨悟
KASAHARA Atsushi
笠原 淳志
TAKIZAWA Shin
瀧澤 伸
Title: 半導体装置およびその製造方法
Abstract:
半導体装置は、ダイオード形成領域(Di)を有する半導体基板(10)と、ダイオード形成領域における半導体基板の主面(10a)の表層に形成された第1導電型の上部拡散領域(20,50,70)と、半導体基板の深さ方向において主面に対して上部拡散領域よりも深い位置に形成され、半導体基板よりも不純物濃度が高くされた第2導電型の下部拡散領域(30,60,80)と、を備える。また、下部拡散領域は、主面より深い位置において上部拡散領域とのPN接合面(S)を成すとともに、ダイオード形成領域における下部拡散領域の不純物濃度プロファイルにおいて、濃度の極大を示す極大点(P,P1,P2)を有する。