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1. (WO2018074093) 半導体記憶素子、半導体記憶装置、および半導体システム

Pub. No.:    WO/2018/074093    International Application No.:    PCT/JP2017/032317
Publication Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 08 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 27/11587
G11C 11/22
H01L 27/10
H01L 27/1159
Applicants: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Inventors: TSUKAMOTO, Masanori
塚本 雅則
Title: 半導体記憶素子、半導体記憶装置、および半導体システム
Abstract:
【課題】平面面積がより縮小された半導体記憶素子を提供する。 【解決手段】少なくとも一部が強誘電体材料からなるゲート絶縁膜を有するメモリセルトランジスタと、ソースまたはドレインの一方が前記メモリセルトランジスタのゲート電極と接続層を介して接続され、ゲート絶縁膜が前記メモリセルトランジスタのゲート絶縁膜と前記接続層を挟んで積層方向に対向するように設けられる選択トランジスタと、を備える、半導体記憶素子。