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1. (WO2018074083) 酸化物半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

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国際公開番号:    WO/2018/074083    国際出願番号:    PCT/JP2017/031817
国際公開日: 26.04.2018 国際出願日: 04.09.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005 (JP).
TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP)
発明者: GOTO Tetsuya; (JP).
MIZUMURA Michinobu; (JP)
代理人: EICHI PATENT & TRADEMARK CORP.; 45-13, Sengoku 4-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1120011 (JP)
優先権情報:
2016-206647 21.10.2016 JP
発明の名称: (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 酸化物半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)An oxide semiconductor device provided with an active layer region made of an oxide semiconductor, wherein the stability when subjected to stress is improved. The oxide semiconductor device is provided with an active layer region made of an oxide semiconductor of indium (In), gallium (Ga), and zinc (Zn). The active layer region contains, at a number density in the range of 1 × 1016 to 1 × 1020cm-3, an element selected from titanium (Ti), zirconium (Zr), or hafnium (Hf), which are group 4 elements, or carbon (Si), germanium (Ge), or tin (Sn), which are group 14 elements.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur à oxyde pourvu d'une zone de couche active constituée d'un semi-conducteur à oxyde, la stabilité étant améliorée lorsque ledit dispositif est soumis à une contrainte. Le dispositif à semi-conducteur à oxyde est pourvu d'une zone de couche active constituée d'un oxyde semi-conducteur d'indium (In), de gallium (Ga) et de zinc (Zn). La région de couche active contient, à une densité en nombre dans la plage de 1 × 1016 à 1 × 1020cm-3, un élément choisi parmi le titane (Ti), le zirconium (Zr) ou l'hafnium (Hf), qui sont des éléments du groupe 4, ou le carbone (Si), le germanium (Ge) ou l'étain (Sn), qui sont des éléments du groupe 14.
(JA)酸化物半導体で構成された活性層領域を備える酸化物半導体装置において、ストレス印加時の安定性を向上させる。 酸化物半導体装置は、インジウム(In),ガリウム(Ga),亜鉛(Zn)の酸化物半導体で構成された活性層領域を備え、この活性層領域に、第4族元素のチタン(Ti),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf)又は第14族元素の炭素(C),ケイ素(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)から選択される元素を、数密度で1×1016~1×1020cm-3の範囲内で含有させた。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)