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1. (WO2018074083) 酸化物半導体装置及びその製造方法

Pub. No.:    WO/2018/074083    International Application No.:    PCT/JP2017/031817
Publication Date: Fri Apr 27 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Sep 05 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
Applicants: V TECHNOLOGY CO., LTD.
株式会社ブイ・テクノロジー
TOHOKU UNIVERSITY
国立大学法人東北大学
Inventors: GOTO Tetsuya
後藤 哲也
MIZUMURA Michinobu
水村 通伸
Title: 酸化物半導体装置及びその製造方法
Abstract:
酸化物半導体で構成された活性層領域を備える酸化物半導体装置において、ストレス印加時の安定性を向上させる。 酸化物半導体装置は、インジウム(In),ガリウム(Ga),亜鉛(Zn)の酸化物半導体で構成された活性層領域を備え、この活性層領域に、第4族元素のチタン(Ti),ジルコニウム(Zr),ハフニウム(Hf)又は第14族元素の炭素(C),ケイ素(Si),ゲルマニウム(Ge),スズ(Sn)から選択される元素を、数密度で1×1016~1×1020cm-3の範囲内で含有させた。