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1. (WO2018073965) 半導体モジュール及び電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2018/073965 国際出願番号: PCT/JP2016/081329
国際公開日: 26.04.2018 国際出願日: 21.10.2016
IPC:
H01L 23/473 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H05K 7/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
34
冷却,加熱,換気または温度補償用装置
46
流動流体による熱の移動によるもの
473
液体を流すことによるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
K
印刷回路;電気装置の箱体または構造的細部,電気部品の組立体の製造
7
異なる型の電気装置に共通の構造的細部
20
冷却,換気または加熱を容易にするための変形
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
川瀬 達也 KAWASE, Tatsuya; JP
中田 洋輔 NAKATA, Yosuke; JP
井本 裕児 IMOTO, Yuji; JP
碓井 修 Usui, Osamu; JP
代理人:
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
高橋 英樹 TAKAHASHI, Hideki; JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE AND POWER CONVERSION DEVICE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) 半導体モジュール及び電力変換装置
要約:
(EN) A plurality of semiconductor elements (4a-4f, 5a-5f) are provided on the upper surface of a conductive base plate (1) via an insulating substrate (2) and conductive patterns (3a-3d). A plurality of fins (6) are provided on the lower surface of the conductive base plate (1). A heat dissipating base plate (7) is provided at the leading ends of the fins (6). A cooler (8) having an inflow port (9a) and an outflow port (9b) in the bottom surface surrounds the fins (6) and the heat dissipating base plate (7). A partition (10) partitions the space surrounded by the cooler (8) and the heat dissipating base plate (7) into an inflow-side space (11a) connected to the inflow port (19a), and an outflow-side space (11b) connected to the outflow port (9b). A first slit (12a) is provided at a center portion of the heat dissipating base plate (7), and second and third slits (12b, 12c) are respectively provided on both the sides of the heat dissipating base plate (7), said sides being in the direction toward the outflow side from the inflow side. The first slit (12a) or both the second and third slits (12b, 12c) are the inflow-side slits connected to the inflow-side space (11a), and the other is the outflow-side slit connected to the outflow-side space (11b).
(FR) La présente invention concerne une pluralité d'éléments semi-conducteurs (4a-4f,5a-5f) qui sont disposés sur la surface supérieure d'une plaque de base conductrice (1) par l'intermédiaire d'un substrat isolant (2) et de motifs conducteurs (3a-3d). Une pluralité d'ailettes (6) sont disposées sur la surface inférieure de la plaque de base conductrice (1). Une plaque de base de dissipation de chaleur (7) est disposée au niveau des extrémités avant des ailettes (6). Un refroidisseur (8) ayant un orifice d'entrée (9a) et un orifice de sortie (9b) dans la surface inférieure entoure les ailettes (6) et la plaque de base de dissipation de chaleur (7). Une cloison (10) sépare l'espace entouré par le refroidisseur (8) et la plaque de base de dissipation de chaleur (7) dans un espace côté entrée (11a) relié à l'orifice d'entrée (9a), et un espace côté sortie (11b) relié à l'orifice de sortie (9b). Une première fente (12a) est disposée au niveau d'une partie centrale de la plaque de base de dissipation de chaleur (7), et des seconde et troisième fentes (12b, 12c) sont disposées respectivement sur les deux côtés de la plaque de base de dissipation de chaleur (7), lesdits côtés étant dans la direction vers le côté de sortie depuis le côté d'entrée. La première fente (12a) ou les première et troisième fentes (12b, 12c) sont les fentes côté entrée reliées à l'espace côté entrée (11a), et l'autre est la fente côté sortie reliée à l'espace côté sortie (11b).
(JA) 導電性ベース板(1)の上面に絶縁基板(2)及び導電性パターン(3a~3d)を介して複数の半導体素子(4a~4f,5a~5f)が設けられている。導電性ベース板(1)の下面に複数のフィン(6)が設けられている。放熱性ベース板(7)が複数のフィン(6)の先端に設けられている。底面に流入口(9a)と流出口(9b)を有する冷却器(8)が複数のフィン(6)及び放熱性ベース板(7)を囲う。パーティション(10)が、冷却器(8)と放熱性ベース板(7)で囲まれた空間を、流入口(19a)と繋がっている流入側空間(11a)と、流出口(9b)と繋がっている流出側空間(11b)とに分離する。放熱性ベース板(7)の中央部に第1のスリット(12a)が設けられ、流入側から流出側に向かう方向に沿った放熱性ベース板(7)の両辺にそれぞれ第2及び第3のスリット(12b,12c)が設けられている。第1のスリット(12a)と第2及び第3のスリット(12b,12c)の一方が流入側空間(11a)に接続された流入側スリットであり、他方が流出側空間(11b)に接続された流出側スリットである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)