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1. (WO2018070308) 電力素子の駆動回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/070308 国際出願番号: PCT/JP2017/036047
国際公開日: 19.04.2018 国際出願日: 03.10.2017
IPC:
H02M 1/08 (2006.01) ,H03K 17/08 (2006.01) ,H03K 17/14 (2006.01) ,H03K 17/567 (2006.01)
出願人: FUJI ELECTRIC CO., LTD.[JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2109530, JP
発明者: OHASHI, Hidetomo; JP
代理人: HOSHINO, Hiroshi; JP
優先権情報:
2016-20315214.10.2016JP
発明の名称: (EN) POWER ELEMENT DRIVE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'EXCITATION D'ÉLÉMENT D'ALIMENTATION
(JA) 電力素子の駆動回路
要約: front page image
(EN) Provided is a drive circuit which drives so as to turn an IGBT on and off, is capable of positively biasing the IGBT without imparting an excessive electric field to the IGBT, and is also capable of reducing the short circuit capacity of the IGBT. The drive circuit is equipped with a first series circuit which: is provided with first and second semiconductor switching elements connected in series and having a constant voltage source or a semiconductor element having positive temperature characteristics interposed therebetween; is provided between the power supply voltage and the ground potential; and is configured in a manner such that the series connection point between the constant voltage source or semiconductor element and the second semiconductor switching element provided on the ground potential side is connected to the IGBT gate. The drive circuit is also equipped with a second series circuit comprising third and fourth semiconductor switching elements which are connected in series, and configured in a manner such that the series connection point between the third and fourth semiconductor switching elements is connected to the IGBT emitter. The drive circuit is also equipped with a control circuit for turning the first through fourth semiconductor switching elements on and off in association with one another according to a control signal.
(FR) La présente invention concerne un circuit d'excitation qui excite un IGBT de manière à le mettre sous tension et hors tension, qui permet de polariser positivement l'IGBT sans lui conférer de champ électrique excessif, et permet également de réduire la capacité de court-circuit de l'IGBT. Le circuit d'excitation est équipé d'un premier circuit série qui : est pourvu de premier et deuxième éléments de commutation à semi-conducteur connectés en série et ayant une source de tension constante ou un élément semi-conducteur ayant des caractéristiques de température positive interposées entre eux ; est disposé entre la tension d'alimentation électrique et le potentiel à la terre ; et est conçu de telle sorte que le point de connexion en série entre la source de tension constante ou l'élément semi-conducteur et le deuxième élément de commutation à semi-conducteur disposé sur le côté de potentiel à la terre est connecté à la grille d'IGBT. Le circuit d'excitation est également équipé d'un second circuit série comprenant des troisième et quatrième éléments de commutation à semi-conducteur qui sont connectés en série, et conçu de telle sorte que le point de connexion en série entre les troisième et quatrième éléments de commutation à semi-conducteur est connecté à l'émetteur d'IGBT. Le circuit d'excitation est également équipé d'un circuit de commande permettant de mettre sous tension et hors tension les premier à quatrième éléments de commutation à semi-conducteur en association les uns avec les autres selon un signal de commande.
(JA) IGBTをオン・オフ駆動する駆動回路において、IGBTに過剰な電界を印加することなくIGBTを正バイアスすることができ、IGBTの短絡耐量を低減することのできる駆動回路を提供する。正の温度特性を有する半導体素子または定電圧源を間にして直列に接続された第1および第2の半導体スイッチ素子を備え、電源電圧と接地電位との間に設けられると共に、接地電位側に設けられた第2の半導体スイッチ素子と半導体素子または定電圧源との直列接続点をIGBTのゲートに接続した第1の直列回路を備える。更に直列に接続された第3および第4の半導体スイッチ素子からなり、第3および第4の半導体スイッチ素子の直列接続点をIGBTのエミッタに接続した第2の直列回路を備える。更に制御信号に応じて第1~第4の半導体スイッチ素子のそれぞれを互いに関連させてオン・オフさせる制御回路を備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)