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1. (WO2018070263) 半導体装置の製造方法

Pub. No.:    WO/2018/070263    International Application No.:    PCT/JP2017/035218
Publication Date: Fri Apr 20 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Fri Sep 29 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 21/28
B23K 26/21
H01L 21/304
H01L 21/336
H01L 29/12
H01L 29/78
Applicants: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
三菱電機株式会社
Inventors: NAKATA Kazunari
中田 和成
Title: 半導体装置の製造方法
Abstract:
SiC基板1の表面に半導体装置の能動領域を形成する工程と、SiC基板1の裏面に、平均砥粒径が所定の範囲の砥石で研削してSiC基板・ドレイン電極接合領域9を形成する工程と、SiC基板・ドレイン電極接合領域9にドレイン電極(1)29を成膜する工程と、ドレイン電極(1)29をSiC基板・ドレイン電極接合領域9に電気的に接続する工程と、ドレイン電極(1)29の上にドレイン電極(2)30を成膜する工程とを含むことで、通電損失を低減しつつ、機械強度の高いSiC半導体装置を得る。