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1. (WO2018070263) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/070263    国際出願番号:    PCT/JP2017/035218
国際公開日: 19.04.2018 国際出願日: 28.09.2017
IPC:
H01L 21/28 (2006.01), B23K 26/21 (2014.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
発明者: NAKATA Kazunari; (JP)
代理人: OIWA Masuo; (JP).
MURAKAMI Keigo; (JP).
TAKENAKA Mineo; (JP).
YOSHIZAWA Kenji; (JP)
優先権情報:
2016-201423 13.10.2016 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)The present invention comprises: a step for forming, on the front surface of a SiC substrate 1, an active region of a semiconductor device; a step for forming, on the rear surface of the SiC substrate 1, a SiC substrate-drain electrode bonding region 9 by grinding with a grindstone having an average abrasive grain size within a predetermined range; a step for forming a drain electrode (1) 29 in the SiC substrate-drain electrode bonding region 9; a step for electrically connecting the drain electrode (1) 29 to the SiC substrate-drain electrode bonding region 9; and a step for forming a drain electrode (2) 30 on the drain electrode (1) 29, whereby a SiC semiconductor device which has a high mechanical strength and allows reduction of a conduction loss is obtained.
(FR)La présente invention comprend : une étape de formation, sur la surface avant d'un substrat de SiC 1, d'une région active d'un dispositif semi-conducteur; une étape de formation, sur la surface arrière du substrat de SiC 1, une région de liaison d'électrode de drain-substrat de SiC 9 par meulage avec une meule ayant une taille moyenne de grain abrasif dans une plage prédéterminée; une étape consistant à former une électrode de drain (1) 29 dans la région de liaison d'électrode de drain-substrat de SiC 9; une étape de connexion électrique de l'électrode de drain (1) 29 à la région de liaison d'électrode de drain-substrat de SiC 9; et une étape de formation d'une électrode de drain (2) 30 sur l'électrode de drain (1) 29, par lequel un dispositif à semi-conducteur en SiC qui a une résistance mécanique élevée et permettant de réduire une perte de conduction est obtenu.
(JA)SiC基板1の表面に半導体装置の能動領域を形成する工程と、SiC基板1の裏面に、平均砥粒径が所定の範囲の砥石で研削してSiC基板・ドレイン電極接合領域9を形成する工程と、SiC基板・ドレイン電極接合領域9にドレイン電極(1)29を成膜する工程と、ドレイン電極(1)29をSiC基板・ドレイン電極接合領域9に電気的に接続する工程と、ドレイン電極(1)29の上にドレイン電極(2)30を成膜する工程とを含むことで、通電損失を低減しつつ、機械強度の高いSiC半導体装置を得る。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)