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1. (WO2018070259) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに、電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/070259    国際出願番号:    PCT/JP2017/035190
国際公開日: 19.04.2018 国際出願日: 28.09.2017
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), A61B 1/00 (2006.01), A61B 1/04 (2006.01), G02B 1/113 (2015.01), G02B 5/20 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 9/07 (2006.01)
出願人: SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 4-14-1, Asahi-cho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014 (JP)
発明者: ITABASI Kouichi; (JP).
NISHIMURA Yuuji; (JP).
ISHIKAWA Mitsuru; (JP).
SEKI Yuichi; (JP).
SHIMOJI Masaya; (JP)
代理人: NISHIKAWA Takashi; (JP).
INAMOTO Yoshio; (JP)
優先権情報:
2016-200642 12.10.2016 JP
発明の名称: (EN) SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに、電子機器
要約: front page image
(EN)The present technology relates to a solid-state imaging element, a method for manufacturing same, and an electronic device, wherein the solid-state imaging element can suppress the occurrence of flares, ghosts, or color mixing, as well as the occurrence of stains caused by moisture. The solid-state imaging element has, on the surface of a microlens, a pixel in which a single-layered anti-reflective film is formed, and a pixel in which a double-layered anti-reflective film is formed. The present technology can be applied, for example, to a backside illumination-type solid-state imaging element.
(FR)La présente invention technologie concerne un élément d'imagerie à semi-conducteur, un procédé pour sa fabrication et un dispositif électronique, l'élément d'imagerie à semi-conducteur pouvant limiter la survenue de surluminances, d'images fantômes ou de mélange de couleurs, ainsi que la survenue de taches causées par l'humidité. L'élément d'imagerie à semi-conducteur est doté, sur la surface d'une microlentille, d'un pixel dans lequel un film antireflet monocouche est formé, et d'un pixel dans lequel un film antireflet à double couche est formé. La présente technologie peut être appliquée, par exemple, à un élément d'imagerie à semi-conducteur de type rétro-éclairé.
(JA)本技術は、フレアやゴースト、混色の発生を抑止するとともに、水分に起因するシミの発生を抑止することができるようにする固体撮像素子およびその製造方法、並びに、電子機器に関する。 固体撮像素子は、マイクロレンズの表面に単層の反射防止膜が形成されている画素と、2層の反射防止膜が形成されている画素とを有する。本技術は、例えば、裏面照射型の固体撮像素子に適用できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)