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1. (WO2018070010) 電子線装置
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国際公開番号: WO/2018/070010 国際出願番号: PCT/JP2016/080357
国際公開日: 19.04.2018 国際出願日: 13.10.2016
IPC:
H01J 37/073 (2006.01) ,H01J 1/30 (2006.01) ,H01J 9/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
37
放電にさらされる物体または材料を導入する設備を有する電子管,例,その試験や処理をするためのもの
02
細部
04
電極装置および放電を発生しまたは制御するための関連部品,例.電子光学装置,イオン光学装置
06
電子源;電子銃
073
電界放出,光電子放出,または2次電子放出による電子源を用いる電子銃
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
1
電子管または放電ランプの2以上の基本的な型に共通な電極,磁気制御手段,スクリーンあるいはそれらのマウントまたは間隔保持の細部
02
主電極
30
冷陰極
H 電気
01
基本的電気素子
J
電子管または放電ランプ
9
電子管,放電ランプまたはその部品の製造に特に適用される装置または方法;電子管または放電ランプからの材料の回収
02
電極または電極システムの製造
出願人:
株式会社日立ハイテクノロジーズ HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西新橋一丁目24番14号 24-14, Nishi Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058717, JP
発明者:
糟谷 圭吾 KASUYA Keigo; JP
荒井 紀明 ARAI Noriaki; JP
楠 敏明 KUSUNOKI Toshiaki; JP
大嶋 卓 OHSHIMA Takashi; JP
橋詰 富博 HASHIZUME Tomihiro; JP
酒井 佑輔 SAKAI Yusuke; JP
代理人:
ポレール特許業務法人 POLAIRE I.P.C.; 東京都中央区日本橋茅場町二丁目13番11号 13-11, Nihonbashikayabacho 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030025, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) ELECTRON BEAM APPARATUS
(FR) APPAREIL À FAISCEAU D'ÉLECTRONS
(JA) 電子線装置
要約:
(EN) Provided is an electron beam apparatus with which it is possible to stably achieve a high spatial resolution even in a case in which low-acceleration observation is performed by using CeB6 in a CFE electron source. In an electron beam apparatus provided with a CFE electron source (929): a section of the CFE electron source from which an electron beam (931) is emitted is formed of a Ce hexaboride product or a hexaboride product of a lanthanoid metal that is heavier than Ce; the hexaboride product emits the electron beam from a {310}-surface thereof; and the number of atoms of the lanthanoid metal in the {310}-surface is set to be greater than the number of boron molecules formed of six boron atoms in the {310}-surface.
(FR) L'invention concerne un appareil à faisceau d'électrons avec lequel il est possible d'obtenir de manière stable une résolution spatiale élevée même dans un cas où une observation à faible accélération est effectuée en utilisant du CeB6 dans une source d'électrons CFE. Dans un appareil à faisceau d'électrons pourvu d'une source d'électrons CFE (929) : une section de la source d'électrons CFE à partir de laquelle un faisceau d'électrons (931) est émis, est formée d'un produit d'hexaborure de Ce ou d'un produit d'hexaborure d'un métal lanthanide qui est plus lourd que le Ce ; le produit d'hexaborure émet le faisceau d'électrons à partir d'une surface {310} de celui-ci ; et le nombre d'atomes du métal lanthanide dans la surface {310} est réglé pour être supérieur au nombre de molécules de bore formées de six atomes de bore dans la surface {310}.
(JA) CFE電子源にCeBを用いて低加速観察する場合であっても、高い空間分解能を安定して得られる電子線装置を提供する。 CFE電子源(929)を備えた電子線装置において、CFE電子源の電子線(931)の放出部はCeの六硼化物、又は、Ceよりも重いランタノイド金属の六硼化物であり、六硼化物は{310}面から電子線を放出し、{310}面のランタノイド金属の原子数は、{310}面の六個の硼素からなる硼素分子数よりも多くする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)