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1. (WO2018066662) 炭化珪素半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2018/066662    国際出願番号:    PCT/JP2017/036349
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 05.10.2017
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
出願人: DENSO CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571 (JP)
発明者: TAKAGI Shigeyuki; (JP).
SHIMOMURA Masaki; (JP).
TAKEUCHI Yuichi; (JP).
SUZUKI Katsumi; (JP).
AOI Sachiko; (JP)
代理人: YOU-I PATENT FIRM; Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
優先権情報:
2016-197414 05.10.2016 JP
2017-179442 19.09.2017 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)When a portion of a p-type SiC layer (50) for forming a p-type deep layer (5), said portion being formed above the surface of an n+-type source region (4), is removed, a sacrificial layer (60) having fluidity is formed on the p-type SiC layer (50). Since the surface of the sacrificial layer (60) is in a flat state due to the fluidity, the p-type SiC layer (50) is etched back together with the sacrificial layer (60) so that the etching selectivity thereof is 1. Consequently, the p-type SiC layer (50) is able to be removed so as to have a flat surface. Consequently, a method for producing an SiC semiconductor device according to the present invention is capable of enabling the n+-type source region (4) and the p-type deep layer (5) to have flat surfaces after the etching back step by a simpler process.
(FR)Selon la présente invention, lorsqu'une partie d'une couche de SiC de type p (50) permettant de former une couche profonde de type p (5), ladite partie étant formée au-dessus de la surface d'une région de source (4) de type n+, est retirée, une couche sacrificielle (60) ayant une fluidité est formée sur la couche de SiC de type p (50). Comme la surface de la couche sacrificielle (60) se trouve dans un état plat en raison de la fluidité, la couche de SiC de type p (50) est gravée en retrait conjointement à la couche sacrificielle (60) de sorte que sa sélectivité de gravure est de 1. Par conséquent, la couche de SiC de type p (50) peut être retirée de manière à présenter une surface plate. Par conséquent, un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur de SiC selon la présente invention est apte à permettre à la région de source (4) de type n+ et à la couche profonde de type p (5) d'avoir des surfaces plates après l'étape de gravure en retrait par un procédé plus simple.
(JA)p型ディープ層(5)を形成するためのp型SiC層(50)のうちn型ソース領域(4)の表面より上に形成された部分を除去する際に、p型SiC層(50)の上に流動性のある犠牲層(60)を形成する。そして、流動性により、犠牲層(60)の表面が平坦な状態となっていることから、犠牲層(60)と共にp型SiC層(50)をエッチング選択比が1となるようにエッチバックする。これにより、p型SiC層(50)を表面が平坦となるように除去できる。したがって、より簡素に、エッチバック後のn型ソース領域(4)およびp型ディープ層(5)の表面を平坦面にできるSiC半導体装置の製造方法とすることが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)