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1. (WO2018066653) 複合基板及び複合基板の製造方法
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国際公開番号: WO/2018/066653 国際出願番号: PCT/JP2017/036310
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 05.10.2017
IPC:
H03H 3/08 (2006.01) ,C30B 29/22 (2006.01) ,C30B 31/22 (2006.01) ,C30B 33/06 (2006.01) ,H03H 9/25 (2006.01)
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
3
インピーダンス回路網,共振回路,共振器の製造に特有な装置または工程
007
電気機械的共振器または回路網の製造のためのもの
08
弾性表面波を用いる共振器または回路網の製造のためのもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
16
酸化物
22
複合酸化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
31
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質への拡散またはドーブ工程;そのための装置
20
電磁波照射または粒子線放射によるドービング
22
イオン注入によるもの
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
33
単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理
06
結晶の結合
H 電気
03
基本電子回路
H
インビーダンス回路網,例.共振回路;共振器
9
電気機械的または電気音響的素子を含む回路網;電気機械的共振器
25
弾性表面波を使用する共振器の構造上の特徴
出願人:
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO. ,LTD [JP/JP]; 東京都千代田区大手町2丁目6番1号 6-1,Ohtemachi 2-chome,Chiyoda-ku Tokyo 1000004, JP
発明者:
丹野 雅行 TANNO Masayuki; JP
永田 和寿 NAGATA Kazutoshi; JP
秋山 昌次 AKIYAMA Shoji; JP
加藤 公二 KATO Koji; JP
代理人:
沼澤 幸雄 NUMAZAWA Yukio; JP
優先権情報:
2016-19852106.10.2016JP
発明の名称: (EN) COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING COMPOSITE SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT COMPOSITE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE
(JA) 複合基板及び複合基板の製造方法
要約:
(EN) [Problem] The objective of the present invention is to provide a method of manufacturing a composite substrate configured to include a piezoelectric layer having a low variation in an amount of Li, and a support substrate. [Solution] This method of manufacturing a composite substrate is characterized in including: a step of subjecting a piezoelectric substrate to ion implantation; a step of joining the piezoelectric substrate to a support substrate; after the step of joining the piezoelectric substrate to the support substrate, a step of separating an ion implanted portion of the piezoelectric substrate into a piezoelectric layer joined to the support substrate, and the remaining piezoelectric substrate; and after the separating step, a step of diffusing Li into the piezoelectric layer.
(FR) [Problème] Le but de l'invention est de fournir un procédé de fabrication d'un substrat composite conçu pour comprendre une couche piézoélectrique présentant une faible variation dans une certaine quantité de Li, et un substrat de support. [Solution] L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat composite, caractérisé en ce qu'il comprend : une étape consistant à soumettre un substrat piézoélectrique à une implantation d'ions ; une étape consistant à assembler le substrat piézoélectrique sur un substrat de support ; après l'étape d'assemblage du substrat piézoélectrique sur le substrat de support, une étape consistant à séparer une partie implantée d'ions du substrat piézoélectrique pour obtenir une couche piézoélectrique assemblée sur le substrat de support, et le substrat piézoélectrique restant ; et après l'étape de séparation, une étape consistant à diffuser du Li dans la couche piézoélectrique.
(JA) 【課題】 本発明の目的は、Li量のバラツキが少ない圧電体層と支持基板とを含んで構成される複合基板の製造方法を提供することである。 【解決手段】 本発明の複合基板の製造方法は、圧電体基板にイオン注入を行う工程と、圧電体基板と支持基板とを接合する工程と、圧電体基板と支持基板とを接合する工程の後に、圧電体基板のイオン注入部において、支持基板に接合された圧電体層と残りの圧電体基板とに分離する工程と、この分離する工程の後に、圧電体層にLiを拡散させる工程とを含むことを特徴とするものである。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)