このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2018066606) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、高分子化合物、並びに、共重合体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報    第三者情報を提供

国際公開番号: WO/2018/066606 国際出願番号: PCT/JP2017/036151
国際公開日: 12.04.2018 国際出願日: 04.10.2017
IPC:
G03F 7/038 (2006.01) ,C08F 20/26 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
20
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
10
エステル
26
カルボキシ酸素以外に酸素を含有するエステル
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP
発明者:
長峰 高志 NAGAMINE Takashi; JP
仁藤 豪人 NITO Hideto; JP
藤崎 真史 FUJISAKI Masafumi; JP
藤井 達也 FUJII Tatsuya; JP
福村 友貴 FUKUMURA Yuki; JP
小島 孝裕 KOJIMA Takahiro; JP
鈴木 一生 SUZUKI Issei; JP
池田 卓也 IKEDA Takuya; JP
グエン カンティン NGUYEN KhanhTin; JP
代理人:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
松本 将尚 MATSUMOTO Masanao; JP
宮本 龍 MIYAMOTO Ryu; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
優先権情報:
2016-19749205.10.2016JP
2017-17600513.09.2017JP
発明の名称: (EN) RESIST COMPOSITION, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, POLYMER COMPOUND, AND COPOLYMER
(FR) COMPOSITION DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN MOTIF DE RÉSERVE, COMPOSÉ POLYMÈRE ET COPOLYMÈRE
(JA) レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、高分子化合物、並びに、共重合体
要約:
(EN) A resist composition that generates an acid upon exposure to light, while having a solubility in a developer liquid, which is changed by the action of an acid. This resist composition is characterized by containing a polymer compound that has a constituent unit represented by general formula (a0-1). In formula (a0-1), R represents a hydrogen atom, an alkyl group or a halogenated alkyl group; Va0 represents a divalent hydrocarbon group; na0 represents a number of 0-2; Ra00 represents an acid-cleavable group represented by general formula (a0-r1-1); each of Ra01 and Ra02 represents a hydrocarbon group, and Ra01 and Ra02 may combine with each other to form a ring structure; Ya0 represents a quaternary carbon atom; each of Ra031, Ra032 and Ra033 represents a hydrocarbon group, and at least one of Ra031, Ra032 and Ra033 represents a hydrocarbon group that has at least a polar group.
(FR) La présente invention concerne une composition de réserve qui génère un acide lors de l'exposition à la lumière, tout en comportant une solubilité dans un liquide développant, qui est modifiée par l'action d'un acide. Cette composition de réserve est caractérisée en ce qu'elle comprend un composé polymère qui comporte une unité constitutive représentée par la formule générale (a0-1). Dans la formule (a0-1), R représente un atome d'hydrogène, un groupe alkyle ou un groupe alkyle halogéné ; Va 0 représente un groupe hydrocarboné divalent ; na0 représente un nombre de 0 à 2 ; Ra00 représente un groupe clivable par un acide représenté par la formule générale (a0-r1-1) ; chacun parmi Ra 01 et Ra02 représente un groupe hydrocarboné, et Ra01 et Ra02 peuvent se combiner les uns avec les autres en vue de former une structure annulaire ; Ya0 représente un atome de carbone quaternaire ; chacun parmi Ra031, Ra032 et Ra033 représente un groupe hydrocarboné, et Ra031 et/ou Ra032 et/ou Ra033 représente un groupe hydrocarboné qui comporte au moins un groupe polaire.
(JA) 露光により酸を発生し、酸の作用により現像液に対する溶解性が変化するレジスト組成物であって、一般式(a0-1)で表される構成単位を有する高分子化合物を含むことを特徴とする。式(a0-1)中、Rは、水素原子、アルキル基又はハロゲン化アルキル基である。Vaは、2価の炭化水素基である。na0は0~2である。Ra00は、一般式(a0-r1-1)で表される酸解離性基である。Ra01及びRa02は、炭化水素基である。Ra01とRa02とは相互に結合して、環構造を形成してもよい。Yaは、第4級炭素原子である。Ra031、Ra032及びRa033は、炭化水素基であり、これらのうちの1つ以上は、少なくとも極性基を有する炭化水素基である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)